50SVT39M是一種高性能的N溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET�,廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�。該器件采用先進的硅工藝制造,具備低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�48A
導通電阻:1.2mΩ
總功耗:175W
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
封裝形式:TO-247
50SVT39M具有非常低的導通電�,這有助于減少在高電流應用中的傳導損�。同�,其出色的熱性能和堅固的設計使其能夠在嚴苛的工作條件下穩(wěn)定運�。此外,該器件還具備�(yōu)秀的開�(guān)性能,適合高頻應用環(huán)境�
由于采用了改進的芯片�(jié)�(gòu)設計�50SVT39M可以提供更高的電流密度和更低的柵極電�,從而進一步優(yōu)化了系統(tǒng)的整體效率。對于需要高效能和高可靠性的電路設計而言,這是一個非常理想的選擇�
50SVT39M主要應用于直�-直流�(zhuǎn)換器、開�(guān)模式電源(SMPS)、不間斷電源(UPS�、太陽能逆變器、電動車輛驅(qū)動系�(tǒng)以及工業(yè)自動化設備等�(lǐng)�。它非常適合需要處理大電流且要求高效率和散熱良好的場合。此�,在電信基礎(chǔ)設施和消費類電子�(chǎn)品中也常能看到它的身��
IRF540N
STP55NF06
FDP55N06L