50N10A是一款基于MOSFET技�(shù)的功率場效應(yīng)晶體�,采用TO-252封裝形式。該器件適用于高頻開�(guān)和低功耗應(yīng)用場�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力。其耐壓�100V,持�(xù)漏極電流可達50A,非常適合用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動和負載切換等場��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�50A
柵極閾值電壓:2V~4V
�(dǎo)通電阻(典型值)�3.5mΩ
總功耗:17W
工作溫度范圍�-55℃~175�
50N10A采用了先進的工藝�(shè)�,具有低�(dǎo)通電阻的特點,從而減少了功率損耗并提高了效�。此�,它還具備快速開�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻操作需求。同�,其高雪崩能量能力增強了器件在異常情況下的魯棒��
TO-252封裝形式使其易于安裝在印刷電路板�,并且提供了良好的散熱性能。由于其出色的電氣特性和可靠�,這款MOSFET廣泛�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中�
該器件主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開關(guān)�
2. 電機�(qū)動中的H橋和半橋配置
3. 電池保護電路中的負載開關(guān)
4. LED�(qū)動器中的電流�(diào)節(jié)
5. 各種DC-DC�(zhuǎn)換器模塊
6. 繼電器替代方案以實現(xiàn)更長壽命和更高效�
IRF540N
STP50NF10
FDP5800