500R15N470JV4T是一種高�、高功率的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,主要用于開(kāi)�(guān)和放大電�。該型號(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于要求低導(dǎo)通電阻和高效率的�(chǎng)�,廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、開(kāi)�(guān)電源等領(lǐng)��
該器件采用先�(jìn)的工藝制造,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的耐壓能力,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:1500V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:5A
�(dǎo)通電阻:4.7Ω
功耗:30W
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
500R15N470JV4T具有出色的電氣性能,包括高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻以及快速開(kāi)�(guān)速度,可以顯著減少開(kāi)�(guān)損��
此外,它還具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)�。其封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,適合高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)��
由于采用了先�(jìn)的材料與制造技�(shù),該器件的寄生電容和電感較小,從而�(jìn)一步提升了�(kāi)�(guān)性能和電磁兼容��
此MOSFET支持多種保護(hù)功能,例如過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),有助于提高系統(tǒng)的整體安全��
該芯片主要應(yīng)用于高壓電源管理�(lǐng)域,如不間斷電源(UPS�、太�(yáng)能逆變器、電�(dòng)汽車充電�(shè)備等�
此外�500R15N470JV4T也適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路以及各類大功率開(kāi)�(guān)電源�
由于其高效率和強(qiáng)耐壓能力,該器件還可用于航空航天和軍事領(lǐng)域的特殊電子�(shè)備中�
500R15N470JW4T, 500R15N470JX4T