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500R14N180JV4T 發(fā)布時間 時間�2025/4/25 16:18:20 查看 閱讀�34

500R14N180JV4T 是一款高壓功� MOSFET,屬� N 溝道增強型場效應(yīng)晶體�。該器件采用先進的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)�,具有高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度等特�。它適用于各種高電壓�(yīng)用場�,例如開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器以� DC-DC �(zhuǎn)換器�。其封裝形式� TO-247,能夠有效提升散熱性能,確保在高功率條件下�(wěn)定運��
  這款芯片以其�(yōu)異的電氣性能和可靠性著�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的輸出特��

參數(shù)

型號�500R14N180JV4T
  類型:N 溝道 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):1800 V
  最大柵源電壓(Vgs):±20 V
  漏極電流(Id):500 mA
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):14 Ω(典型�,在 Vgs=15V 時)
  功耗:6 W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝:TO-247

特�

1. 高擊穿電壓(1800V�,適合高壓應(yīng)用環(huán)境�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(14Ω 典型值),可顯著降低傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)速度,支持高頻操�,減少開�(guān)損耗�
  4. 增強的熱�(wěn)定�,能夠承受較高的�(jié)溫(最高可� 175°C��
  5. 小信號控制能力較�,易于與邏輯電路接口�
  6. 提供出色的耐用雪崩能力,增強系�(tǒng)可靠��
  7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)計�
  8. 廣泛的工作溫度范圍使其適�(yīng)多種惡劣�(huán)��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
  2. 電機�(qū)動電�,尤其是需要高電壓控制的應(yīng)��
  3. 工業(yè)逆變器和變頻器�
  4. 高壓 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  5. 太陽能微逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)��
  6. 電磁閥驅(qū)動和繼電器控��
  7. 高壓負載切換和保護電��
  8. 等離子體�(fā)生器以及其他特種電源裝置�

替代型號

IXTH50N180P
  STW19NM180
  IRG4PH50KD
  FDP14N18

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