3DSR16M32VS4500MSA12M 是一款基� 3D stacking 技�(shù)的高性能存儲芯片,主要應(yīng)用于對存儲密度和速度要求較高的場�。該芯片采用了先�(jìn)的制程工藝,提供大容�、低功耗和高可靠性的特�。其�(shè)�(jì)適用于企�(yè)級存�、數(shù)�(jù)中心以及高性能�(jì)算領(lǐng)��
類型�3D NAND Flash
容量�16GB
接口:PCIe Gen4 x4
工作電壓�1.8V/3.3V
�(shù)�(jù)傳輸速率�4500MB/s(順序讀?�?br> 封裝形式:BGA
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
擦寫壽命�3000次(P/E Cycle�
該存儲芯片采� 3D stacking 技�(shù),將多層存儲單元垂直堆疊,顯著提升了存儲密度和性能�
具備低功耗特�,適合長時間�(yùn)行的�(yīng)用場��
支持高� PCIe 接口,能�?qū)崿F(xiàn)快速的�(shù)�(jù)傳輸�
�(nèi)� ECC(錯誤校正碼)功�,確保數(shù)�(jù)的完整性與可靠性�
提供寬溫支持,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定工作�
3DSR16M32VS4500MSA12M 廣泛�(yīng)用于企業(yè)級固�(tài)硬盤、服�(wù)器存儲系�(tǒng)、云�(jì)算平�、邊緣計(jì)算設(shè)備及高性能�(jì)算系�(tǒng)��
適用于需要大容量、高吞吐量和低延遲存儲的場景,例如數(shù)�(jù)庫加�、虛擬化�(huán)境和人工智能推理任務(wù)�
也可用于工業(yè)自動�、監(jiān)控錄像存儲以及其他關(guān)鍵任�(wù)型存儲解決方案�
3DSR16M64VS5000MSA12M
3DSR32M32VS4500MSA12M