3DFO2G08VS4215SSA00M 是一款基� 3D Flash 技�(shù)的存�(chǔ)芯片,由 Intel 推出。該器件采用了先�(jìn)的三維堆疊技�(shù),能夠在有限的空間內(nèi)提供更高的存�(chǔ)密度和更快的�(shù)�(jù)訪問(wèn)速度。這款芯片主要面向企業(yè)�(jí)存儲(chǔ)�(yīng)�,例如固�(tài)硬盤(SSD�、數(shù)�(jù)中心存儲(chǔ)系統(tǒng)等。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了寫入性能、耐用性和能耗表�(xiàn),同�(shí)支持高吞吐量�(shù)�(jù)傳輸�
容量�2GB
接口類型:ONFI 4.0
工作電壓�1.8V
存儲(chǔ)單元�(jié)�(gòu):TLC(Triple-Level Cell�
封裝形式:BGA
引腳�(shù)�169
最大順序讀取速度�400 MB/s
最大順�?qū)懭胨俣龋?00 MB/s
擦寫壽命�1000 �
3DFO2G08VS4215SSA00M 的核心優(yōu)�(shì)在于其采� 3D NAND 技�(shù),與傳統(tǒng)平面 NAND 相比,它通過(guò)垂直堆疊存儲(chǔ)單元�(lái)�(shí)�(xiàn)更高密度的存�(chǔ)能力�
此外,這款芯片支持 ONFI 4.0 接口�(guī)�,具備低延遲和高速數(shù)�(jù)傳輸?shù)奶攸c(diǎn)。在功耗管理方�,該器件能夠根據(jù)�(fù)載動(dòng)�(tài)�(diào)整能�,從而降低整體運(yùn)行成��
可靠性方��3DFO2G08VS4215SSA00M 提供了增�(qiáng)型糾�(cuò)算法(ECC)以及磨損均衡機(jī)�,確保長(zhǎng)期使用中的數(shù)�(jù)完整�。同�(shí),其 TLC 存儲(chǔ)單元�(jié)�(gòu)在提供較高性價(jià)比的同時(shí),仍能保持足夠的耐用��
這款芯片廣泛�(yīng)用于高性能存儲(chǔ)�(shè)備中,包括消�(fèi)�(jí)和企�(yè)�(jí) SSD�
在數(shù)�(jù)中心�(lǐng)��3DFO2G08VS4215SSA00M 能夠滿足大規(guī)模數(shù)�(jù)存儲(chǔ)和快速檢索的需求�
此外,它還適用于嵌入式系�(tǒng),如工業(yè)控制、網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備等需要高可靠性和大容量存�(chǔ)的場(chǎng)��
3DFO4G16VS4215SSA00M
3DFO2G08VS4215SSB00M