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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 333-2SYGD/S530-E2-L

333-2SYGD/S530-E2-L 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 19:44:16 查看 閱讀�35

333-2SYGD/S530-E2-L 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于開關電源、電機驅(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器等領�。該器件采用了先進的半導體制造工�,具有較低的導通電阻和較高的電流承載能�,能夠在高頻開關條件下保持高效性能�
  其封裝形式為表面貼裝類型,能夠滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對小型化和高可靠性的要求�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  導通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  開關頻率�500kHz
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

該芯片的核心�(yōu)勢在于其低導通電阻設�,這使得在高電流應用場景下能夠顯著降低功�,并提高整體效率�
  此外,它還具備快速開關能力和良好的熱�(wěn)定性,可以有效應對各種復雜的電路環(huán)�。芯片內(nèi)部集成了過溫保護和過流保護功�,從而進一步提升了�(chǎn)品的可靠性�
  由于采用了優(yōu)化的封裝技�,該器件具有出色的散熱性能,適用于長時間高負載運行的應用場��

應用

廣泛用于消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模�,例如筆記本電腦適配�、電視電源以及家用電器中的變頻控制單��
  同時,在工業(yè)領域中也常被用作大功率電機驅(qū)動的開關元件或不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中的核心組件�
  另外,該芯片還適用于電動汽車充電設備和太陽能逆變器等新能源相關產(chǎn)��

替代型號

IRF3710, FDP5580N

333-2sygd/s530-e2-l推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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