2SK209-GR是一種N溝道MOSFET功率晶體�,屬于雙極型晶體管系列,廣泛應用于高頻放大器、開�(guān)電源以及射頻電路等場景。該型號以其低導通電阻和高增益特性著�,適用于需要高效能輸出的電子設(shè)備�2SK209-GR采用TO-3P封裝形式,具備較高的耐用性和散熱性能,使其在工業(yè)級和消費級應用中均有良好的表�(xiàn)�
最大集電極電流�6A
最大集電極-�(fā)射極電壓�120V
最大柵�-源極電壓:�25V
最大功耗:75W
導通電阻:0.18Ω
增益(hFE):40-120
工作溫度范圍�-55℃至+150�
2SK209-GR具有較低的導通電阻,能夠有效減少功率損�,提升整體效率�
其高增益特性使得該器件非常適合用于信號放大的場��
由于采用了TO-3P封裝,該晶體管具備優(yōu)良的散熱性能,可承受較高功率的應用環(huán)��
此外�2SK209-GR的工作溫度范圍較�,能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運��
該晶體管主要應用于高頻功率放大器的設(shè)計中,例如業(yè)余無線電�(shè)備和廣播�(shè)備�
在開�(guān)電源�(lǐng)��2SK209-GR可以作為高效的開�(guān)元件使用�
此外,它也常見于音頻功率放大器、電機驅(qū)動電路以及其他需要高性能功率管理的場��
2SK209-GS, 2SC4241