2SK198-Q(TX) 是一種N溝道MOSFET功率晶體�,廣泛應(yīng)用于高頻放大器、射頻開(kāi)�(guān)以及功率放大等場(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于要求高效能和高速響�(yīng)的電路設(shè)�(jì)�
該型�(hào)是日本松下(Panasonic)生�(chǎn)的經(jīng)典系列之一,常用于�(wú)線電通信�(shè)�、雷�(dá)系統(tǒng)以及其他需要高可靠性和高性能表現(xiàn)的應(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:50V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:-4A
輸出電容�7pF
輸入電容�30pF
跨導(dǎo)�1.6S
耗散功率�25W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
2SK198-Q(TX) 具有出色的高頻性能和較低的噪聲水平。其主要特點(diǎn)包括�
1. 高擊穿電� (50V),確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
2. 快速開(kāi)�(guān)速度和低寄生電容,適用于高頻�(yīng)��
3. 較高的跨�(dǎo)� (1.6S),能夠提供良好的增益性能�
4. 能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的電氣特�,適�(yīng)各種極端條件�
5. 小封裝體積便于安裝和集成到緊湊型�(shè)�(jì)��
該器件主要用于射頻和微波�(lǐng)域中的信�(hào)放大和處理。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. 高頻功率放大器設(shè)�(jì)�
2. 射頻�(kāi)�(guān)和調(diào)制解�(diào)器�
3. �(wú)線通信�(shè)備中的發(fā)射機(jī)和接收機(jī)模塊�
4. 工業(yè)、科�(xué)及醫(yī)� (ISM) 頻段的電子設(shè)��
5. 雷達(dá)系統(tǒng)和衛(wèi)星通信系統(tǒng)的前端電��
2SK198, 2SK198-Q