2SK1586是一種N溝道MOSFET晶體�,廣泛應用于高頻、高功率的電子電路中。該器件由富士通(�(xiàn)為安森美半導體旗下品牌)制造,具有出色的開關特性和低導通電�,適合用作射頻放大器和功率轉(zhuǎn)換器中的關鍵元件�
2SK1586在設計上注重高效能表�(xiàn),能夠滿足對性能要求較高的應用需�,如通信設備、雷達系�(tǒng)以及其他高頻功率處理場景�
類型:N溝道MOSFET
漏源電壓(Vds)�400V
柵源電壓(Vgs):�30V
漏極電流(Id)�1A
輸入電容(Ciss)�200pF
輸出電容(Coss)�20pF
反向傳輸電容(Crss)�10pF
導通電�(Rds(on))�4Ω
最大耗散功率(Pd)�90W
工作溫度范圍�-55� to +175�
2SK1586具備高耐壓能力,適用于高達400V的工作環(huán)�,同時其漏極電流可以達到1A,保證了較強的負載驅(qū)動能��
該器件的低導通電阻使其在導通狀�(tài)下能夠減少能量損�,提高整體效��
另外,由于其電容值相對較�,特別是在輸出電容和反向傳輸電容方面,因此非常適合高頻開關應�。此外,2SK1586能夠在極端溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工�,確保了在惡劣環(huán)境下的可靠��
其快速開關特性和較低的柵極電荷量進一步增強了其在高頻射頻應用中的表現(xiàn)�
2SK1586主要應用于高頻功率轉(zhuǎn)換電路、射頻功率放大器以及各類通信設備�。例�,在無線電通信、衛(wèi)星通信和雷達系�(tǒng)等需要高效率、高可靠性的場景�,這款MOSFET可以�(fā)揮重要作��
它還可以用于音頻功率放大器的設計,提供清晰且不失真的聲音輸出�
此外�2SK1586也可被用作開關電源中的功率開�,以實現(xiàn)高效的直�-直流�(zhuǎn)��
2SK2070
2SK2447
IRFP250N