2SK1582-T1B是一種N溝道功率場效應晶體管(MOSFET�,廣泛應用于高頻、高效率的開關電源、逆變器以及其他功率轉(zhuǎn)換設備中。該器件采用TO-3P封裝形式,具有優(yōu)良的熱性能和電氣性能,能夠承受較高的電壓和電�。其低導通電阻和快速開關特性使得它非常適合于要求高效能和小體積的應用場合�
2SK1582-T1B是富士電機(Fuji Electric)推出的高性能MOSFET,憑借其出色的參�(shù)表現(xiàn),被廣泛用于工業(yè)級和商業(yè)級電子設��
最大漏源電壓:900V
最大柵源電壓:±20V
最大連續(xù)漏極電流�12A
最大脈沖漏極電流:36A
導通電阻(典型值)�1.4Ω
總功耗:200W
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
2SK1582-T1B具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:其900V的漏源電壓使其能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定運��
2. 低導通電阻:在高電流應用��1.4Ω的典型導通電阻有助于減少能量損��
3. 快速開關速度:該器件支持高頻開關操作,適合現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器的需��
4. 高可靠性:具備�(yōu)異的熱特性和機械�(wěn)定性,可長期在高溫�(huán)境下工作�
5. 耐雪崩能力:�(nèi)置雪崩保護功�,提高了器件在異常情況下的耐用性�
2SK1582-T1B適用于多種功率轉(zhuǎn)換場�,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�
2. 工業(yè)逆變�
3. 變頻�(qū)動器
4. 太陽能逆變�
5. 高頻功率放大�
6. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
由于其高電壓和大電流處理能力,該器件特別適合需要高效能功率管理的工�(yè)應用�
2SK1582H-T1B, IRFP460, STW96N90K5