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2SK1402A 發(fā)布時間 時間:2025/5/21 12:06:09 查看 閱讀:7

2SK1402A是一種N溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要應用于高頻、高壓和高功率場景。該器件采用TO-3P封裝形式,廣泛用于射頻放大器、開關電源以及音頻功率放大器等領域。
  2SK1402A以其卓越的性能表現(xiàn)而著稱,尤其在高頻應用中具有較低的導通電阻和較高的增益特性,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

型號:2SK1402A
  類型:N溝道MOSFET
  Vds(漏源電壓):500V
  Rds(on)(導通電阻):2.5Ω
  Id(漏極電流):6A
  Ptot(總耗散功率):130W
  fT(截止頻率):8MHz
  Vgs(th)(柵極開啟電壓):3V
  Tj(結溫范圍):-55℃至+175℃

特性

2SK1402A擁有以下顯著特點:
  1. 高耐壓能力:能夠承受高達500V的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境。
  2. 低導通電阻:Rds(on)僅為2.5Ω,在導通狀態(tài)下可減少功率損耗。
  3. 高增益性能:其fT達到8MHz,非常適合高頻應用。
  4. 熱穩(wěn)定性強:工作結溫范圍寬廣,從-55℃到+175℃,適應各種極端溫度條件。
  5. 高可靠性:經(jīng)過嚴格的質量測試,確保長期穩(wěn)定運行。

應用

2SK1402A適用于以下領域:
  1. 射頻功率放大器:由于其高頻特性和高增益,是射頻功率放大器的理想選擇。
  2. 開關電源:能夠在開關電源電路中作為高效的開關元件使用。
  3. 音頻功率放大器:憑借其低失真和高線性度,可用于高品質音頻放大器。
  4. 工業(yè)控制:適合于需要高可靠性和高壓操作的各種工業(yè)設備。
  5. 能量轉換系統(tǒng):如逆變器、DC-DC轉換器等場景。

替代型號

2SK1402, IRF540N, BUZ11

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