2SK1070PICTL-E 是一� N 溝道 MOSFET 功率晶體�,廣泛應用于高頻開關電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及音頻功率放大器等場景。該型號屬于 Toshiba 公司生產(chǎn)� MOSFET 系列�(chǎn)�,具有低導通電�、高開關速度和良好的熱性能�
2SK1070PICTL-E 的封裝形式為 TO-247N,適合高功率應用�(huán)�,并且其設計特別針對音頻功放領域進行了優(yōu)�,能夠有效降低失真并提升整體效率�
最大漏源電壓:150V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�36A
脈沖漏極電流�108A
導通電阻(典型值)�0.018Ω
總功耗:250W
結溫范圍�-55� � +175�
輸入電容�1600pF
2SK1070PICTL-E 主要特點包括�
1. 極低的導通電阻,有助于減少導通損�,從而提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開關能�,非常適合高頻開關應用�
3. 在音頻功率放大器中表�(xiàn)出色,能夠顯著降低總諧波失真 (THD) 和噪聲�
4. 強大的散熱性能,支持長時間高負載運��
5. 提供了較寬的工作溫度范圍,適應各種嚴苛環(huán)境條��
6. 封裝結構堅固耐用,便于安裝和使用�
該型號適用于以下應用場景�
1. 音頻功率放大器中的輸出級�(qū)��
2. 開關模式電源 (SMPS) 的主開關元件�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或控制開��
4. 各類工業(yè)設備中的電機�(qū)動與控制電路�
5. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
6. 新能源相關設�,如太陽能逆變器或電池管理系統(tǒng)�
2SK1058PICTL-E, IRFP250N, STP36NF06L