2SD1950-T1-AZ是一種NPN型雙極性晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻和高功率放大電路�。該型號的晶體管具有較高的增益、低噪聲特性以及優(yōu)良的頻率響應(yīng)性能,適用于射頻(RF)放大器、混頻器以及其他需要高性能晶體管的�(yīng)用場景�
該器件采用TO-3金屬封裝形式,具備良好的散熱性能,能夠承受較大的電流和電�。其主要特點是高截止頻率(fT�、低飽和壓降和較高的集電�-�(fā)射極擊穿電壓(VCEO�。這種晶體管通常用于通信�(shè)�、廣播系�(tǒng)以及工業(yè)級電子應(yīng)��
最大集電極電流�8A
集電�-�(fā)射極擊穿電壓�120V
�(fā)射極-基極擊穿電壓�7V
最大耗散功率�60W
直流電流增益(hFE):20-100
特征頻率(fT):400MHz
工作溫度范圍�-55℃至+150�
2SD1950-T1-AZ是一款專為高頻應(yīng)用設(shè)計的晶體管,其主要特點如下:
1. 高頻性能:具有高�400MHz的特征頻率(fT�,適合在高頻段工作的射頻放大器�
2. 高增益:直流電流增益(hFE)范圍為20�100,在放大�(yīng)用中提供了足夠的增益�
3. 大功率處理能力:最大耗散功率可達60W,使其適用于大功率輸出級電路�
4. 良好的熱�(wěn)定性:采用了TO-3金屬封裝,確保了高效的散熱性能,并能適�(yīng)較寬的工作溫度范圍�
5. 高耐壓:集電極-�(fā)射極擊穿電壓達到120V,可承受較高的電壓環(huán)��
這些特性使得該晶體管成為射頻功率放大器和其他高頻應(yīng)用的理想選擇�
2SD1950-T1-AZ晶體管主要用于以下領(lǐng)域:
1. 射頻功率放大器:由于其高頻特性和高功率處理能�,非常適合用作射頻功率放大器的核心元��
2. 混頻器:在無線通信�(shè)備中,可用于實現(xiàn)信號頻率�(zhuǎn)��
3. 工業(yè)控制:例如高頻驅(qū)動器或開�(guān)電源中的功率輸出��
4. 廣播系統(tǒng):在廣播�(fā)射機中作為功率放大器件使��
5. 測試與測量設(shè)備:如頻譜分析儀或其他需要高頻放大的測試儀��
總之,這款晶體管適用于所有需要高性能、高效率和高可靠性的高頻及高功率�(yīng)用場��
2SD2068, 2SC5088, MJE340