2N7002KV 是一款增�(qiáng)� N 溝道 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電路、電源管�、信�(hào)放大等領(lǐng)�。其�(shè)�(jì)目的是在低電壓應(yīng)用中提供高性能的開�(guān)特性�2N7002KV 的封裝形式為 SOT-23 小型表面貼裝封裝,適合高密度電路板布局�
這款 MOSFET 具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,能夠在小體積條件下�(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。由于其工作電壓范圍較寬且驅(qū)�(dòng)要求�(jiǎn)�,因此在便攜式設(shè)備、消�(fèi)電子和工�(yè)控制�(lǐng)域非常受歡迎�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:0.2A(脈沖時(shí)可達(dá)1A�
�(dǎo)通電阻:25Ω(典型值,�(dāng) Vgs=10V �(shí)�
功耗:340mW
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:SOT-23
2N7002KV 的主要特�(diǎn)是其增強(qiáng)型模式操�,只有當(dāng)柵源電壓高于閾值電壓時(shí),器件才�(huì)開啟并允許電流從漏極流向源極�
它的低導(dǎo)通電阻使其能夠以最小的功率損耗傳輸電�,非常適合電池供電的�(yīng)用場(chǎng)�。此外,其快速開�(guān)特性減少了開關(guān)�(guò)程中的能量損�,從而提高了整體效率�
2N7002KV 還具有出色的靜電放電 (ESD) 防護(hù)能力,增�(qiáng)了器件在各種�(huán)境下的可靠��
由于采用 SOT-23 封裝,它具備較小的外形尺寸和較低的熱�,便于散熱管理和 PCB 空間�(yōu)化�
2N7002KV 常用于需要小型化和高效功率控制的�(chǎng)�,例如負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、LED �(qū)�(dòng)電路以及便攜式電子設(shè)備中的電源管理�
它也適用于音頻信�(hào)切換、數(shù)�(jù)通信接口保護(hù)和電池保�(hù)電路等應(yīng)�。在工業(yè)�(lǐng)域,� MOSFET 可用于信�(hào)�(diào)節(jié)模塊、傳感器接口以及低功率繼電器替代方案�
其低漏電流和�(wěn)定的性能使得它成為需要長(zhǎng)�(shí)間待�(jī)或低功耗運(yùn)行設(shè)備的理想選擇�
BSS138
AO3400
FDC6530
2N7000