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2N7002E 發(fā)布時間 時間�2025/5/27 18:00:44 查看 閱讀�15

2N7002E 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于模擬和數(shù)字電路中。它是一種小型、高性能的功率晶體管,適用于各種開關(guān)和放大應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,使其成為便攜式�(shè)�、電源管理電路以及信號處理電路中的理想選擇�
  2N7002E 屬于 Vishay Siliconix 公司� 2N7002 系列,經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計以提供更高的可靠性和�(wěn)定性。它的封裝形式通常� TO-92 � SOT-23 小型封裝,非常適合對空間要求較高的應(yīng)用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  最大連續(xù)漏極電流�200mA
  最大脈沖漏極電流:1.1A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8Ω(在 Vgs=10V 時)
  總功耗:400mW
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

2N7002E 的主要特性包括以下幾點:
  1. 高開�(guān)速度:由于其�(jié)�(gòu)�(shè)��2N7002E 的開�(guān)時間非常�,適合高頻應(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:�(dāng)柵源電壓�(dá)到一定值時,漏源之間的�(dǎo)通電阻較�,從而減少功率損��
  3. 增強型操作:只有�(dāng)柵源電壓超過閾值電壓時,MOSFET 才會�(dǎo)通,這使得它非常適合用作電子開關(guān)�
  4. 小型封裝:采� TO-92 � SOT-23 封裝,節(jié)省了印刷電路板上的空��
  5. 寬工作溫度范圍:能夠在極端溫度條件下正常工作,適�(yīng)各種�(huán)境需��

�(yīng)�

2N7002E 可用于多種電子應(yīng)用,包括但不限于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源中的同步整流��
  2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  3. �(shù)字邏輯電路中的信號開�(guān)�
  4. 電機�(qū)動和繼電器控��
  5. 保護(hù)電路中的過流保護(hù)和短路保�(hù)�
  6. 音頻和視頻設(shè)備中的信號切��
  由于其高效率和可靠性,2N7002E 在消費電�、工�(yè)控制和通信�(shè)備中都有廣泛�(yīng)��

替代型號

2N7002K, BSS138, FDN340P

2n7002e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

2n7002e資料 更多>

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2n7002e參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C240mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 歐姆 @ 250mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds21pF @ 5V
  • 功率 - 最�350mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)