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2N3904 發(fā)布時間 時間�2024/3/15 14:57:48 查看 閱讀�2097

2N3904是一種低功�、中等功率的NPN型晶體管,由美國國家半導體公司(National Semiconductor)于1960年推�。它具有高頻特性良�,適用于射頻放大�、混頻器、振蕩器以及開關(guān)電路等應(yīng)��2N3904的封裝常見有TO-92和SOT-23兩種�
  2N3904的操作基于PN�(jié)的原�。PN�(jié)是由N型半導體和P型半導體的結(jié)合而成,形成了�(fā)射區(qū)(Emitter�、基區(qū)(Base)和集電區(qū)(Collector)。當正向電流從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)時,電子從發(fā)射區(qū)進入基區(qū),形成電子云。這些電子在基區(qū)中運動時,一部分電子被吸�,而另一部分電子�(jīng)過散射進入集電區(qū)。這樣,基區(qū)的電子濃度會影響集電區(qū)的電�。通過控制基區(qū)電流,可以控制集電區(qū)的電�,實�(xiàn)放大或開�(guān)功能�

基本�(jié)�(gòu)

2N3904晶體管的基本�(jié)�(gòu)包括三個區(qū)域:�(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。它采用TO-92封裝,具有三個引腳:�(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector��

工作原理

2N3904是一種雙極型晶體管,由三個區(qū)域組成:�(fā)射區(qū)(Emitter�、基區(qū)(Base)和集電區(qū)(Collector)。當正向電流從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)�,它會控制從集電區(qū)流出的電�,實�(xiàn)放大或開�(guān)功能�

參數(shù)

最大集電極電壓(VCEO)�40V
  最大射極電�(IC)�200mA
  最大功�(PD)�625mW
  最大封裝溫�(Tj)�150°C
  最大集電極-基極電壓(VCE0)�60V
  最大集電極-�(fā)射極電壓(VEBO)�6V
  最大集電極電流增益(hFE):通常�100�300

特點

1、小尺寸�2N3904采用TO-92封裝,體積小巧,適用于緊湊的電路�(shè)��
  2、低功耗:2N3904的最大功耗為625mW,適用于低功耗應(yīng)��
  3、高頻響�(yīng)�2N3904具有較高的頻率響�(yīng),適用于高頻放大器和振蕩器應(yīng)��
  4、高增益�2N3904的最大集電極電流增益(hFE)通常�100�300之間,具有良好的放大效果�
  5、可靠性:2N3904的可靠性較�,可在廣泛的�(huán)境條件下工作�

�(yīng)�

1、低功耗放大器:由�2N3904具有較小的體積和低功耗特�,適用于低功耗放大器電路�(shè)�,如音頻放大器和信號放大��
  2、電子開�(guān)�2N3904可用作開�(guān)電路中的開關(guān)元件,用于控制電流的通斷�
  3、振蕩器�2N3904的高頻響�(yīng)特性使其適用于振蕩器電路設(shè)�,用于產(chǎn)生高頻信��
  4、邏輯門�(qū)動:2N3904可用作邏輯門�(qū)動器,用于驅(qū)動數(shù)字電路中的邏輯門�

�(shè)計流�

1、確定設(shè)計需求:根據(jù)�(yīng)用的具體要求,確定需要使�2N3904晶體管的電路功能、電流和電壓要求��
  2、選取工作點:根�(jù)�(shè)計需�,選擇適�?shù)墓ぷ鼽c,即集電區(qū)電流(IC)和基極電壓(VBE)等參數(shù)�
  3、電路分析:根據(jù)選取的工作點,進行電路分析,包括計算電�、電流和電壓等參�(shù),并確定電路的增�、頻率響�(yīng)和穩(wěn)定性等特��
  4、選擇外圍元件:根據(jù)電路分析的結(jié)�,選擇適�?shù)耐鈬珉�?、電容和電感�,以滿足�(shè)計需��
  5、PCB布局:根�(jù)電路�(shè)�,進行PCB布局,包括放置晶體管和其他元件,確定連線路徑和保證信號完整性的布局�(guī)��
  6、仿真驗證:通過電路仿真軟件,對�(shè)計進行驗證,檢查電路的性能和穩(wěn)定�,并對必要的參數(shù)進行�(yōu)化�
  7、原理圖�(shè)計:根據(jù)�(shè)計驗證的�(jié)�,繪�2N3904晶體管的原理�,包�2N3904晶體管本身和與其相連的外圍元件�
  8、PCB�(shè)計:根據(jù)原理圖設(shè)計,進行PCB布線,連接2N3904晶體管和外圍元件,并確保信號傳輸?shù)目煽啃院拖到y(tǒng)的穩(wěn)定性�
  9、原型制作:根據(jù)PCB�(shè)計,制作2N3904晶體管的原型,包括PCB的制�、元件的焊接和連接等�
  10、測試與�(diào)試:對制作好的電路原型進行測試和調(diào)試,檢查電路的功�、性能和穩(wěn)定�,并進行必要的調(diào)整和�(yōu)��
  11、生�(chǎn)和量�(chǎn):在完成測試和調(diào)試后,進行電路的生�(chǎn)和量�(chǎn),包括PCB的批量制作、元件的采購和組�,以滿足實際�(yīng)用的需��
  12、質(zhì)量控制:在生�(chǎn)和量�(chǎn)過程�,進行�(zhì)量控制和�(zhì)量檢�,確保產(chǎn)品的�(zhì)量和可靠��

安裝要點

1、確定正確的引腳�2N3904晶體管有三個引�,分別是�(fā)射極(E)、基極(B)和集電極(C�。在安裝之前,要確保正確識別和確定每個引腳的位置�
  2、確保良好的熱散逸:2N3904晶體管在工作過程中會�(chǎn)生熱量,因此需要良好的散熱。在安裝�,應(yīng)將晶體管的金屬外殼與散熱片或散熱器相連接,以提高散熱效果�
  3、防止靜電損傷:在安裝過程中,要注意防止靜電損傷晶體�。可以使用靜電防護手套或觸摸金屬物體以釋放靜�,避免直接接觸晶體管的引腳�
  4、正確的焊接:在�2N3904晶體管固定到電路板上�,要確保焊接的質(zhì)量和可靠性。使用合適的焊接溫度和時�,避免過熱或過短的焊接時間導致焊接不��
  5、適�?shù)囊g距:2N3904晶體管的引腳間距較小,因此在安裝時要小心,確保引腳之間沒有短�。可以使用放大鏡或顯微鏡來幫助觀察和�(diào)整引腳的位置�
  6、元件位置的合理布局:在PCB�(shè)計和組裝�,應(yīng)合理布局2N3904晶體管和其他元件的位置,以確保信號傳�?shù)目煽啃院拖到y(tǒng)的穩(wěn)定�。避免元件之間的相互干擾和干擾�
  7、進行必要的測試和�(diào)試:安裝完成�,進行必要的測試和�(diào)�,以確保2N3904晶體管的安裝正確,并檢查電路的功能和性能是否符合�(shè)計要��

常見故障及預(yù)防措�

2N3904晶體管的常見故障及預(yù)防措施如下:
  1、靜電損傷:靜電可以�2N3904晶體管產(chǎn)生損�,導致無法正常工作或損壞。為了預(yù)防靜電損�,應(yīng)戴上防靜電手�,避免直接觸摸晶體管的引腳。在處理晶體管之�,應(yīng)先觸摸金屬物體以釋放靜電�
  2、過熱:�2N3904晶體管工作時,可能會�(chǎn)生過多的熱量,導致晶體管損壞。為了預(yù)防過熱,�(yīng)確保良好的散�。可以使用散熱片或散熱器將晶體管的金屬外殼與散熱器相連接,以提高散熱效果�
  3、過電流:過大的電流可能導致2N3904晶體管損�。為了預(yù)防過電流,應(yīng)根據(jù)晶體管的額定電流和功率選取合適的電阻器或電流限制�,并確保電路�(shè)計合�,不超過晶體管的額定�(shù)值�
  4、焊接不良:焊接不良可能導致引腳接觸不良,引起電流流失或工作不穩(wěn)�。為了避免焊接不良,�(yīng)使用適當?shù)暮附庸ぞ吆图夹g(shù),控制焊接溫度和時間,確保焊接的�(zhì)量和可靠��
  5、引腳短路:2N3904晶體管的引腳間距較小,安裝時容易�(fā)生引腳短�。為了預(yù)防引腳短路,�(yīng)小心安裝晶體�,使用放大鏡或顯微鏡來觀察和�(diào)整引腳的位置,確保引腳之間沒有短��
  6、高溫環(huán)境:2N3904晶體管在高溫�(huán)境下可能會出�(xiàn)性能下降或損壞的情況。為了預(yù)防高溫引起的故障,應(yīng)根據(jù)晶體管的工作溫度范圍選擇合適的環(huán)�,并采取適當?shù)纳岽胧�?/p>

2n3904推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

2n3904資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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  • 2N3904
  • NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSIS...
  • MICRO-ELECTRO...
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  • 2N3904
  • General Purpose Transistors(NPN Sili...
  • ONSEMI
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2n3904參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)200mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)40V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)200mV @ 5mA�50mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)100 @ 10mA�1V
  • 功率 - 最�625mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�270MHz
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3 標準主體
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-92-3
  • 包裝散裝
  • 其它名稱497-2395