2EZ8.2D5是一種雙基極二極管(Tunnel Diode�,主要用于高頻振蕩器、開(kāi)�(guān)電路以及脈沖�(fā)生器等應(yīng)�。這種二極管具有負(fù)阻特性,能夠在特定的工作電壓范圍�(nèi)表現(xiàn)出獨(dú)特的電流-電壓�(guān)�。其快速的�(kāi)�(guān)特性和低功耗使其成為早期電子設(shè)備中的重要元件�
型號(hào)�2EZ8.2D5
類型:隧道二極管(Tunnel Diode�
最大正向電流:10 mA
峰值負(fù)阻電壓:3.2 V
�(fù)阻值:-6 Ω�-12 Ω
工作溫度范圍�-55°C � +125°C
封裝形式:玻璃封�
引腳�(shù)量:2
2EZ8.2D5的核心特性是其隧道效�(yīng),這是量子力學(xué)的一種現(xiàn)�。在正向偏置下,隨著電壓的增�,電流會(huì)先增加再減少,形成負(fù)阻區(qū)域。這一特性使得它非常適合用于高頻振蕩器和脈沖�(chǎn)生電��
該二極管還具有極快的�(kāi)�(guān)速度,幾乎不受電容或電感的影響,因此可以用于高速數(shù)字電路和射頻�(yīng)�。此外,由于其低功耗設(shè)�(jì),非常適合對(duì)能效要求較高的場(chǎng)��
2EZ8.2D5的玻璃封裝提供了良好的保�(hù),同�(shí)保證了電氣性能的穩(wěn)定�。它的負(fù)阻特性可以通過(guò)外部電路�(diào)節(jié),從而適�(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景�
2EZ8.2D5主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻振蕩器:利用其負(fù)阻特性生成穩(wěn)定的高頻信號(hào)�
2. 脈沖�(fā)生器:用于生成快速上升沿和下降沿的脈沖信�(hào)�
3. �(kāi)�(guān)電路:在需要快速切換的�(chǎng)景中替代傳統(tǒng)晶體��
4. 混頻器和倍頻器:在射頻通信系統(tǒng)中作為關(guān)鍵組��
5. 限幅器和鉗位器:用于信號(hào)處理中的幅度限制功能�
6. 低功耗邏輯電路:在早期數(shù)字系�(tǒng)中實(shí)�(xiàn)�(jiǎn)單的邏輯功能�
2N647, ERB94