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2EZ15D5 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 16:44:54 查看 閱讀�21

2EZ15D5是一種用于高頻通信的砷化鎵(GaAs)場效應(yīng)晶體管(FET�,通常被設(shè)�(jì)為功率放大器的一部分,廣泛應(yīng)用于射頻和微波通信系統(tǒng)。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝技�(shù),能夠提供高增益、低噪聲以及良好的線性性能,適合于無線通信、雷�(dá)和衛(wèi)星通信等領(lǐng)��
  2EZ15D5的主要特�(diǎn)是其在高頻范圍內(nèi)的卓越表�(xiàn)能力,能夠在較寬的工作頻率范圍內(nèi)保持�(wěn)定的輸出功率和增�。此外,由于其砷化鎵材料特�,該器件具有較高的電子遷移率和較低的功耗,從而使其在高性能射頻�(yīng)用中占據(jù)重要地位�

參數(shù)

型號�2EZ15D5
  類型:砷化鎵場效�(yīng)晶體管(GaAs FET�
  工作頻率范圍�1 GHz � 18 GHz
  增益�10 dB � 15 dB(典型值)
  輸出功率�1 dB 壓縮�(diǎn)):+20 dBm(典型值)
  最大輸入功率:+10 dBm
  電源電壓�+3 V � +5 V
  靜態(tài)電流�50 mA � 100 mA
  封裝形式:陶瓷密封SMD封裝
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C

特�

2EZ15D5具備以下顯著特性:
  1. 高頻率操作范圍:該器件可�1 GHz�18 GHz的寬頻帶�(nèi)�(wěn)定運(yùn)行,適用于多種高頻應(yīng)用場��
  2. 高增益與低噪聲:其增益范圍在10 dB�15 dB之間,同�(shí)保持較低的噪聲系�(shù),保證信號傳輸質(zhì)��
  3. 小型化設(shè)�(jì):采用表面貼裝技�(shù)(SMD)封�,便于集成到小型化的射頻模塊��
  4. �(wěn)定性高:即使在極端�(huán)境條件下,如低溫或高溫,仍能保持良好的電氣性能�
  5. 高效率:得益于砷化鎵材料的優(yōu)異性能,該器件能夠在高頻段�(shí)�(xiàn)更高的能量轉(zhuǎn)換效�,減少熱量損耗�

�(yīng)�

2EZ15D5主要用于以下�(lǐng)域:
  1. 射頻功率放大器:在無線通信基站、衛(wèi)星通信�(shè)備等需要高頻信號放大的場合,作為核心放大元��
  2. 微波通信系統(tǒng):包括點(diǎn)對點(diǎn)微波鏈路、雷�(dá)系統(tǒng)及測試測量儀器中的高頻信號處��
  3. 航空航天和國防:由于其可靠性高且耐溫能力�(qiáng),常被用作軍事級通信和導(dǎo)航系�(tǒng)的組成部分�
  4. �(yī)療成像設(shè)備:如超聲波診斷儀中的高頻信號放大�
  5. 科學(xué)研究:例如用于粒子加速器中的高頻控制電路�

替代型號

2EZ15C5, ATF-14GA1, MGF1415A

2ez15d5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

2ez15d5資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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2ez15d5參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭單二極管/齊納
  • 系列-
  • 電壓 - 齊納(標(biāo)稱)(Vz)15V
  • 電壓 - � If �(shí)為正� (Vf)(最大)1.2V @ 200mA
  • 電流 - � Vr �(shí)反向漏電500nA @ 11.4V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最�2W
  • 阻抗(最大)(Zzt)7 歐姆
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼DO-204AL,DO-41,軸�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DO-41(DO-204AL�
  • 包裝剪切� (CT)
  • 工作溫度-65°C ~ 150°C
  • 其它名稱2EZ15D5DO41MSCT2EZ15D5DO41MSCT-ND2EZ15D5MSCT2EZ15D5MSCT-ND