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2DB1386Q-13 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/16 14:05:06 查看 閱讀：16

2DB1386Q-13是一種高性能的功率二極管，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。它屬于快速恢復(fù)二極管系列，具有較低的反向恢復(fù)時(shí)間，能夠有效減少開(kāi)關(guān)損耗并提高系統(tǒng)的整體效率。該型號(hào)采用TO-252封裝形式，具備良好的散熱性能和電氣特性，適用于高頻率和高電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　這種二極管的設(shè)計(jì)注重在高頻條件下保持低功耗，同時(shí)提供出色的可靠性和耐用性。它的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括續(xù)流二極管、整流電路以及保護(hù)電路等。

參數(shù)

最大正向電流：4A
　　峰值反向電壓：600V
　　反向恢復(fù)時(shí)間：75ns
　　正向壓降：1.1V（典型值，@If=2A）
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ to +150℃
　　封裝形式：TO-252

特性

2DB1386Q-13的關(guān)鍵特性包括其快速恢復(fù)能力，這使得它非常適合于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其低反向恢復(fù)電荷（Qrr）減少了開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損失，并且提高了整個(gè)系統(tǒng)的效率。
　　此外，這款二極管具有較高的浪涌電流能力，能夠在短時(shí)間內(nèi)承受比額定值更高的電流而不損壞，從而增強(qiáng)了器件的魯棒性。
　　由于采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，2DB1386Q-13還擁有良好的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下也能維持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。同時(shí)，其緊湊的封裝設(shè)計(jì)有助于簡(jiǎn)化PCB布局并節(jié)省空間。

應(yīng)用

2DB1386Q-13廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中，例如開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、電動(dòng)車(chē)充電器等。在這些應(yīng)用中，它通常作為整流或續(xù)流元件使用。
　　另外，該器件也常用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，以保護(hù)MOSFET或IGBT免受反電動(dòng)勢(shì)的影響。通過(guò)將2DB1386Q-13集成到相關(guān)電路中，可以顯著提升產(chǎn)品的性能與可靠性。

替代型號(hào)

2DB1386Q-11, MUR160TR, BYM160E

2db1386q-13推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

2db1386q-13參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)型PNP
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）5A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）20V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）1V @ 100mA，4A
  • 電流 - 集電極截止（最大）-
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)120 @ 500mA，2V
  • 功率 - 最大1W
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換100MHz
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-243AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-89-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)2DB1386Q-13-ND2DB1386Q-13DITR