23550MA1IFDBG 是一款高效能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和開關(guān)電路�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
該型號屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,通常用于高頻開關(guān)�(yīng)用及�(fù)載切換場景�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�75nC
開關(guān)�(shí)間:開通延遲時(shí)� 9ns,關(guān)斷下降時(shí)� 18ns
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
23550MA1IFDBG 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 1.5mΩ,這使其非常適合大電流�(yīng)�。此外,其快速開�(guān)能力和低柵極電荷也�(jìn)一步提升了效率�
由于其出色的熱穩(wěn)定性和高電流處理能�,這款 MOSFET 在高功率密度�(shè)�(jì)中表�(xiàn)出色。同�(shí),它具有較低的反向恢�(fù)電荷 (Qrr),減少了開關(guān)損��
此器件還具備較高的雪崩擊穿能量吸收能�,增�(qiáng)了在惡劣�(huán)境下的可靠��
� MOSFET 常用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 電動工具和家用電器中的電�(jī)控制
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切�
4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率級
5. 高效同步整流電路
其優(yōu)異的性能使它成為需要高效率和高可靠性的理想選擇�
23550MA1IFDGBR, IRF2355M