時(shí)間：2025/5/23 15:47:25
閱讀：13
20N03是一款N溝道功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET），廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等領(lǐng)域。該器件以其低導(dǎo)通電阻和高效率而著稱，能夠承受較高的電壓和電流，適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備。
最大漏源電壓：45V
最大柵源電壓：±20V
持續(xù)漏極電流：30A
導(dǎo)通電阻：6mΩ
總功耗：180W
結(jié)溫范圍：-55℃ to 175℃
20N03具有較低的導(dǎo)通電阻，這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
其具備快速開關(guān)速度，能夠支持高頻應(yīng)用。
封裝形式通常為TO-220，方便散熱處理。
由于其出色的電氣性能，這款MOSFET能夠在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
同時(shí)，該器件擁有較強(qiáng)的抗雪崩能力，可提升系統(tǒng)的可靠性。
20N03主要應(yīng)用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源中的功率開關(guān)。
可用于電動(dòng)工具、家用電器等設(shè)備的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
在太陽能逆變器中作為功率開關(guān)使用。
也可用作負(fù)載切換開關(guān)或保護(hù)電路中的關(guān)鍵元件。
IRFZ44N
STP30NF06
FDP158N
IXFN42N
BUK457-60E
