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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > 201R07S150GV4T

201R07S150GV4T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 16:07:50 查看 閱讀�18

201R07S150GV4T 是一款基于硅基材料的高壓功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高電壓和高效率場(chǎng)景中。該芯片具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠在高頻工作條件下提供優(yōu)異的性能表現(xiàn)。其封裝�(shè)�(jì)緊湊,適用于各種工業(yè)電源、逆變�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及通信�(shè)備等�(yīng)用領(lǐng)��
  該型�(hào)采用 Trench 技�(shù)制�,能夠有效降低器件的�(dǎo)通損耗并提高整體系統(tǒng)的效率。同�(shí),它還具備良好的熱穩(wěn)定性和抗電磁干擾能��

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  持續(xù)漏極電流�7A
  �(dǎo)通電阻:2.6mΩ(典型值)
  柵極電荷�38nC(典型值)
  開關(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

201R07S150GV4T 的主要特性包括低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定��
  1. �(dǎo)通電阻低� 2.6mΩ,可顯著減少傳導(dǎo)損耗,從而提升系�(tǒng)效率�
  2. 高頻工作能力使得其非常適合于開關(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器等高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
  3. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能增強(qiáng)了器件在�(fù)雜環(huán)境中的可靠��
  4. 寬廣的工作溫度范圍使其適�(yīng)多種惡劣工況下的使用需��
  5. 具備快速恢�(fù)二極管特�,有助于�(jìn)一步優(yōu)化動(dòng)�(tài)性能�

�(yīng)�

這款芯片廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 工業(yè)電源�(zhuǎn)換與管理
  2. 太陽能逆變�
  3. 電動(dòng)車輛及混合動(dòng)力汽車的電機(jī)�(qū)�(dòng)
  4. 通信基站中的高效 DC-DC �(zhuǎn)換模�
  5. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)
  6. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品的充電適配�

替代型號(hào)

201R07S150GV3T
  IRF1404
  FDP15N15E