1EDI30I12MHXUMA1 是一款基于碳化硅 (SiC) 技�(shù)� MOSFET 功率晶體�,由 Infineon Technologies 生產(chǎn)。該器件采用 TO-247 封裝形式,廣泛應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)�、電機驅(qū)動和工業(yè)逆變器等場景�
由于其優(yōu)異的開關(guān)特性和耐高壓性能�1EDI30I12MHXUMA1 成為�(xiàn)代功率電子設(shè)計中的熱門選擇,特別適合需要高頻工作的場合�
額定電壓�1200 V
額定電流�30 A
導通電阻:6.5 mΩ
最大工作溫度范圍:-55°C � +175°C
封裝類型:TO-247
柵極電荷�90 nC
反向恢復(fù)時間�80 ns
1EDI30I12MHXUMA1 具有低導通電阻和快速開�(guān)速度,能夠顯著降低傳導損耗和開關(guān)損��
其采用的碳化硅技�(shù)使得該器件在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時具備更高的熱穩(wěn)定性和可靠��
此外,該器件還具有較低的柵極電荷和反向恢�(fù)電荷,進一步優(yōu)化了整體系統(tǒng)效率�
在實際使用中�1EDI30I12MHXUMA1 能夠承受高達 1200V 的阻斷電壓,并能在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定性能�
1EDI30I12MHXUMA1 主要�(yīng)用于高效率功率轉(zhuǎn)換場�,例如太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS) 和電動汽車充電設(shè)��
此外,它也常用于工業(yè)電機�(qū)動和變頻器中,以實現(xiàn)更精確的控制和更高的能效�
由于其高頻性能,該器件還適用于硬開�(guān)和軟開關(guān)拓撲�(jié)�(gòu),如 LLC 諧振�(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電��
1EDI30I12M2H, 1EDI20I12MHXUMA1