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19-226/R6GHC-A03/2T 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 22:49:04 查看 閱讀：16

19-226/R6GHC-A03/2T 是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及開(kāi)關(guān)模式電源等領(lǐng)域。該型號(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用先進(jìn)的制造工藝和封裝技術(shù)，能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性。其設(shè)計(jì)目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)高效率和低損耗，特別適合對(duì)能效要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：50A
　　導(dǎo)通電阻：2.5mΩ
　　柵極電荷：45nC
　　開(kāi)關(guān)速度：超快
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

該器件具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可有效降低功率損耗。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，適用于高頻電路設(shè)計(jì)。
　　3. 良好的熱穩(wěn)定性，能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)行。
　　4. 強(qiáng)大的浪涌電流能力，增強(qiáng)了系統(tǒng)的魯棒性。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子系統(tǒng)中。

應(yīng)用

這款功率MOSFET適用于多種領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的主開(kāi)關(guān)或同步整流器。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)控制。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的橋式配置組件。
　　4. 汽車(chē)電子中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。

替代型號(hào)

IRF540N
　　STP55NF06L
　　FDP55N06L

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