19-213/R6W-BP2Q2B/3T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等場景。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高耐壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升電路效率并降低功��
其封裝形式為3-Terminal�(shè)�(jì),適合高密度集成�(yīng)用環(huán)�。該型號(hào)特別針對(duì)工業(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)用�(jìn)行了�(yōu)�,具有出色的�(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:4mΩ
柵極電荷�50nC
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-263�3-Terminal�
這款功率MOSFET的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在滿載條件下可顯著降低功率損��
2. 高速開�(guān)性能,支持高�(dá)500kHz的工作頻��
3. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)抗靜電能��
4. 支持高側(cè)和低�(cè)�(qū)�(dòng)配置,兼容各種應(yīng)用場��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
6. 耐熱性優(yōu)�,可在極端溫度環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
19-213/R6W-BP2Q2B/3T適用于多種電力電子領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
5. 汽車電子系統(tǒng)
6. 太陽能逆變�
7. 其他需要高效功率管理的場合
R6W-BP2Q2C/3T, IRF540N, FDP5570N