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時(shí)間：2025/5/23 12:51:17
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1808HC681KAT1A 是一款基于鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FRAM) 技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)芯片。該器件結(jié)合了RAM的速度和靈活性與ROM的非易失性特性，能夠在斷電后保存數(shù)據(jù)。它采用SOIC-8封裝形式，具有高讀寫耐久性和低功耗的特點(diǎn)，適用于需要頻繁數(shù)據(jù)記錄和實(shí)時(shí)存儲(chǔ)的應(yīng)用場景。
FRAM技術(shù)相比傳統(tǒng)EEPROM和閃存具有更快的寫入速度、更高的寫入次數(shù)以及更低的功耗，因此在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)記錄儀、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
封裝：SOIC-8
容量：256 x 8 bits (256字節(jié))
工作電壓：1.8V至3.6V
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
數(shù)據(jù)保留時(shí)間：超過10年
讀/寫周期：10^12次
接口類型：并行接口
存取時(shí)間：70ns（典型值）
組織結(jié)構(gòu)：8位x32頁
1808HC681KAT1A的核心特性在于其使用了FRAM技術(shù)，使得其具備以下優(yōu)勢：
1. 高速寫入能力：FRAM無需擦除操作即可直接寫入數(shù)據(jù)，大大提升了寫入速度，適合頻繁數(shù)據(jù)更新的場合。
2. 超高耐用性：支持高達(dá)10^12次的讀寫周期，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)EEPROM和閃存的壽命限制。
3. 低功耗：FRAM的工作電流非常低，在寫入操作時(shí)尤其明顯，這使其非常適合電池供電設(shè)備。
4. 快速恢復(fù)：即使突然斷電，F(xiàn)RAM也能立即恢復(fù)到斷電前的狀態(tài)，保證數(shù)據(jù)完整性。
5. 小型化設(shè)計(jì)：SOIC-8封裝便于集成到空間受限的應(yīng)用中。
由于其卓越的性能，1808HC681KAT1A廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 工業(yè)自動(dòng)化：用于數(shù)據(jù)日志記錄、參數(shù)配置存儲(chǔ)等。
2. 醫(yī)療設(shè)備：如血糖儀、心率監(jiān)測儀等需要頻繁存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的場合。
3. 計(jì)量設(shè)備：例如智能儀表中的用電量、用水量記錄模塊。
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：如打印機(jī)緩存、數(shù)碼相機(jī)設(shè)置保存等。
5. 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備：適用于需要長時(shí)間運(yùn)行且對(duì)功耗敏感的IoT節(jié)點(diǎn)。
1808HC681KAT1B, MB85RC256V, FM25L04B
