1210N820J631CT 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高功率密度場效應晶體� (FET),專為高頻和高效率應用場景設計。該型號采用了先進的封裝技�,具有低寄生電感和良好的熱性能�
這款 GaN FET 的典型應用領域包括開關電�、DC-DC 轉換�、無線充電設備以及電機驅動等。其�(yōu)異的開關特性和耐高壓能力使其成為現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)中的重要選擇�
最大漏源電壓:820V
連續(xù)漏極電流�40A
導通電阻:90mΩ
柵極電荷�75nC
開關頻率:最高支�5MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
1210N820J631CT 具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電�,能夠承受高�820V的工作電�,確保在惡劣條件下穩(wěn)定運��
2. 極低的導通電阻(90mΩ�,有效減少傳導損耗并提高整體效率�
3. 快速開關速度,支持高�5MHz的工作頻率,非常適合高頻應用場合�
4. 緊湊型封裝設�,有助于減小電路板空間占用,同時�(yōu)化散熱性能�
5. 內置過流保護功能,增強了器件的安全性與可靠��
6. 采用無鉛�(huán)保材料制�,符合RoHS標準要求�
該型號廣泛應用于多個領域:
1. 開關電源(SMPS)設計中,用作主功率開關,提供高效且�(wěn)定的能量轉換�
2. 在電動汽車充電樁內作為核心功率器�,滿足快速充電需求�
3. 工業(yè)自動化設備中的電機驅動電�,提供精確控制和高效驅動能力�
4. 太陽能逆變器系�(tǒng)中實�(xiàn)高效直流到交流轉�,提升能源利用效��
5. 數據中心服務器電源模�,降低能耗并提高供電質量�
1210N820J521DT, 1210N820K631CT