1210N180J202CT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,屬于功率半導體器件。該器件采用先進的封裝工藝,能夠提供卓越的開關(guān)性能和高效的功率�(zhuǎn)換能�。其主要應用�(lǐng)域包括高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、射頻放大器、電源管理系�(tǒng)以及新能源汽車中的電力電子設備�
該型號中�'1210'通常表示封裝尺寸�12mm x 10mm�'N'代表N溝道�'180'表示耐壓值為180V�'J202'可能是特定的�(chǎn)品系列或版本標識,�'CT'則可能與測試標準或篩選等級相�(guān)�
額定電壓�180V
連續(xù)漏極電流�20A
導通電阻:6mΩ
柵極電荷�50nC
開關(guān)速度:小�50ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263-3
1210N180J202CT 擁有非常低的導通電�,使其在高電流應用中具有出色的效率表�(xiàn)。此�,由于采用了氮化鎵材�,其開關(guān)速度遠高于傳�(tǒng)硅基MOSFET,從而減少了開關(guān)損�,并支持更高頻率的操作�
該器件還具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,在極端�(huán)境條件下仍能保持�(wěn)定的性能輸出。同�,它具有較小的寄生電感和電容,進一步優(yōu)化了動態(tài)性能�
相比同類硅基�(chǎn)��1210N180J202CT 的高頻特性和更低的功耗使得它成為許多�(xiàn)代高效電源解決方案的理想選擇�
這款芯片廣泛應用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電模�、LED�(qū)動電路、光伏逆變�、電動汽車車載充電器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�
其高開關(guān)速度和低損耗特點特別適合要求快速響應和緊湊設計的應用場�,例如消費類電子�(chǎn)品中的適配器和工�(yè)自動化設備中的電源管理單��
1210N180J201CT
1210N180J203CT