1210N180G501CT 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體� (HEMT),專為高頻和高功率應用設�。該器件采用先進的 GaN 技�,具有卓越的開關性能和高效率特�。其典型應用場景包括射頻功率放大�、無線能量傳輸以及雷達系�(tǒng)等�
該型號的命名�(guī)則中包含了一些關鍵信息:12代表柵極寬度(單位未知)�10N表明其為N溝道器件�180表示最大耐壓值為180V,G501是工藝版本代�,CT可能代表封裝類型或測試標��
最大漏源電壓:180V
最大漏極電流:4A
導通電阻:60mΩ
柵極電荷�30nC
輸入電容�700pF
輸出電容�300pF
反向恢復時間:無(因GaN特性)
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1210N180G501CT 的主要優(yōu)勢在于其基于氮化鎵材料的�(yōu)異性能,相較于傳統(tǒng)的硅基MOSFET,它提供了更高的功率密度、更快的開關速度以及更低的導通損��
其動�(tài)性能�(yōu)越,能夠承受較高的dv/dt應力,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠�。此外,由于采用了增強型結構,該器件在正常工作時需要正向柵極驅動電壓才能開�,從而提高了系統(tǒng)的安全性�
GaN 技術還賦予了此器件更小的芯片尺寸和更高的集成度,非常適合于要求緊湊設計的應用場合�
然�,需要注意的�,GaN 器件通常對靜電敏感,因此在存�、運輸及裝配過程中必須采取適當的防護措施以避免損��
1210N180G501CT 廣泛應用于需要高效能和快速響應的領域,如�
1. 射頻功率放大器:用于通信基站、衛(wèi)星通信和軍事雷達等設備中,提供�(wěn)定的增益和輸出功��
2. 無線充電系統(tǒng):支持更高頻率和更大功率的非接觸式能量傳輸解決方案�
3. 能量轉換電路:例如DC-DC變換器中的同步整流部分或者逆變電源的核心開關元��
4. 激光雷達(LiDAR)驅動:為自動駕駛汽車中的探測與測距系統(tǒng)提供精確控制�
總之,任何涉及高頻操�、高效率需求以及小型化趨勢的電力電子裝置都可以考慮使用此類先進半導體產品�
1210N150G501CT, 1210N200G501CT