時間：2025/5/19 19:30:49
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1206N2R7B500CT 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的功率晶體管，采用行業(yè)標準的 DFN 封裝。該器件適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和無線充電等應(yīng)用領(lǐng)域。其卓越的性能主要歸功于 GaN 的高電子遷移率和低導(dǎo)通電阻特性，從而顯著提高效率并減小系統(tǒng)尺寸。
該型號屬于高效能氮化鎵晶體管系列，專為高功率密度設(shè)計而優(yōu)化。
封裝：DFN
額定電壓：650V
額定電流：2.7A
導(dǎo)通電阻：2.7mΩ
柵極電荷：38nC
反向恢復(fù)時間：無
工作溫度范圍：-40℃ 至 +150℃
1206N2R7B500CT 擁有非常低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度，這使其在高頻操作條件下具有極高的效率。此外，由于采用了增強型模式（E-Mode）GaN 技術(shù)，無需復(fù)雜的柵極驅(qū)動電路，進一步簡化了設(shè)計過程。
其關(guān)鍵特性包括：
- 高擊穿電壓：支持高達 650V 的工作電壓。
- 極低的 RDS(on)：2.7mΩ 導(dǎo)通電阻可顯著降低傳導(dǎo)損耗。
- 快速開關(guān)能力：極低的柵極電荷和輸出電荷確保高效運行。
- 高熱穩(wěn)定性：能夠在高溫環(huán)境下可靠工作，最高結(jié)溫可達 150°C。
- 簡化的驅(qū)動要求：無需負柵壓驅(qū)動，直接兼容傳統(tǒng) MOSFET 驅(qū)動器。
這款芯片廣泛應(yīng)用于需要高效率和高功率密度的場合，例如：
- 開關(guān)電源（SMPS）
- DC-DC 轉(zhuǎn)換器
- 無線充電發(fā)射端和接收端
- 電機驅(qū)動控制器
- LED 驅(qū)動器
- 太陽能微型逆變器
憑借其出色的性能，該器件非常適合替代傳統(tǒng)的硅基 MOSFET，尤其是在高頻應(yīng)用中。
1206N2R9B500CT
1206N3R3B500CT
