1206N150G500CT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,采用DFN8封裝形式。該器件具有高開�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和出色的熱性能,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和功率因�(shù)校正(PFC)等�(yīng)用領(lǐng)域�
作為第三代半�(dǎo)體材料器��1206N150G500CT 能夠在高頻率下工�,同�(shí)提供較高的效�,是傳統(tǒng)硅基MOSFET的理想替代方��
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�9A
�(dǎo)通電阻:50mΩ
柵極電荷�30nC
開關(guān)頻率:超�5MHz
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1206N150G500CT 擁有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅�50mΩ,在高頻�(yīng)用中能夠顯著降低�(dǎo)通損�。此�,該器件的柵極電荷較�,使得驅(qū)�(dòng)功耗得以減少,從而提高了整體效率�
GaN 技�(shù)還賦予了該器件更快的開關(guān)速度和更高的工作頻率,這不僅有助于減小無源元件的尺寸,還能�(shí)�(xiàn)更加緊湊的設(shè)�(jì)。其�(yōu)異的熱性能確保了即使在高溫�(huán)境下也能�(wěn)定運(yùn)行�
另外,該器件具有較強(qiáng)的抗雪崩能力和短路耐受能力,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性�
1206N150G500CT 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效能電源管理場景,如筆記本電腦適配器、智能手�(jī)快充�、USB-PD控制器等�
在工�(yè)�(lǐng)�,這款器件也可用于LED�(qū)�(dòng)�、太陽能逆變器以及電信設(shè)備中的DC-DC�(zhuǎn)換器。由于其支持高頻操作,還可以用作無線充電系統(tǒng)中的�(guān)鍵組件�
1206N150GA500CT, EPC2045, Infineon IPD050N15S6G