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1206N150G500CT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 18:09:38 查看 閱讀�8

1206N150G500CT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,采用DFN8封裝形式。該器件具有高開�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和出色的熱性能,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和功率因�(shù)校正(PFC)等�(yīng)用領(lǐng)域�
  作為第三代半�(dǎo)體材料器��1206N150G500CT 能夠在高頻率下工�,同�(shí)提供較高的效�,是傳統(tǒng)硅基MOSFET的理想替代方��

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�9A
  �(dǎo)通電阻:50mΩ
  柵極電荷�30nC
  開關(guān)頻率:超�5MHz
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

1206N150G500CT 擁有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅�50mΩ,在高頻�(yīng)用中能夠顯著降低�(dǎo)通損�。此�,該器件的柵極電荷較�,使得驅(qū)�(dòng)功耗得以減少,從而提高了整體效率�
  GaN 技�(shù)還賦予了該器件更快的開關(guān)速度和更高的工作頻率,這不僅有助于減小無源元件的尺寸,還能�(shí)�(xiàn)更加緊湊的設(shè)�(jì)。其�(yōu)異的熱性能確保了即使在高溫�(huán)境下也能�(wěn)定運(yùn)行�
  另外,該器件具有較強(qiáng)的抗雪崩能力和短路耐受能力,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性�

�(yīng)�

1206N150G500CT 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效能電源管理場景,如筆記本電腦適配器、智能手�(jī)快充�、USB-PD控制器等�
  在工�(yè)�(lǐng)�,這款器件也可用于LED�(qū)�(dòng)�、太陽能逆變器以及電信設(shè)備中的DC-DC�(zhuǎn)換器。由于其支持高頻操作,還可以用作無線充電系統(tǒng)中的�(guān)鍵組件�

替代型號(hào)

1206N150GA500CT, EPC2045, Infineon IPD050N15S6G

1206n150g500ct推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

1206n150g500ct參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�4,000 : �0.25205卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容15 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�通用
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.035"�0.90mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-