1206N122G251CT 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),屬于增�(qiáng)� GaN FET。該器件采用了先�(jìn)� 1206 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于高頻、高效能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用。此型號(hào)通常用于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)備以及各種工�(yè)與消�(fèi)類電子產(chǎn)品的�(shè)�(jì)��
由于其出色的性能表現(xiàn)�1206N122G251CT 成為傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的理想替代品,在效率、尺寸和散熱方面提供了顯著優(yōu)�(shì)�
額定電壓�120V
�(dǎo)通電阻:22mΩ
最大電流:25A
柵極電荷�45nC
反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(零反向恢復(fù)�
封裝類型�1206
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
1206N122G251CT 的主要特性包括:高開(kāi)�(guān)頻率支持,使得設(shè)�(jì)更加緊湊且高�;低�(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損耗,從而提高整體系�(tǒng)效率;零反向恢復(fù)電荷使其非常適合硬開(kāi)�(guān)和軟�(kāi)�(guān)�?fù)?;此�,該器件具備?qiáng)大的短路耐受能力,并在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定性能�
得益于氮化鎵技�(shù),此器件還擁有更小的芯片面積,能夠簡(jiǎn)� PCB 布局并降低寄生效�(yīng)的影�。同�(shí),其�(jiān)固的封裝形式增強(qiáng)了機(jī)械可靠性和電氣連接性�
1206N122G251CT 廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,例如:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)控制�
2. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�(shè)�(jì),特別是半橋和全橋拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
3. 電動(dòng)汽車充電樁和車載充電器的核心組件�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)器及太陽(yáng)能微型逆變器中的功率調(diào)節(jié)單元�
5. 消費(fèi)電子�(chǎn)品如筆記本電腦適配器、智能手�(jī)快充模塊��
1206N120G250CT, 1206N100G280CT