1206N122G101CT 是一種片式氮化鋁 (AlN) 基板,主要應(yīng)用于高頻、高功率電子器件。該�(chǎn)品屬于村田制作所(Murata)推出的高性能基板系列,具有卓越的熱傳�(dǎo)性和電絕緣�,適用于需要高效散熱和電氣隔離的場��
其型號中的數(shù)字和字母表示尺寸、材料特性及性能等級。例如,�1206”代表標(biāo)�(zhǔn)封裝尺寸�1206 英寸�,“N122”表示材料為氮化鋁且具備特定的導(dǎo)熱性能,后�(xù)編碼則�(jìn)一步定義了具體參數(shù)和生�(chǎn)批次信息�
封裝尺寸�1206英寸
材料:氮化鋁 (AlN)
�(dǎo)熱系�(shù)�170 W/mK
介電常數(shù)�9.0
體積電阻率:1.0E+13 Ω·cm
表面電阻率:1.0E+15 Ω/square
耐電壓:DC 20kV/mm
1206N122G101CT 的核心特性在于其�(yōu)異的熱管理能力與�(wěn)定的電氣性能。氮化鋁作為陶瓷基板材料之一,結(jié)合了金屬的高�(dǎo)熱性與陶瓷的絕緣優(yōu)�。這種基板特別適合用作功率模塊、射頻器件以� LED 照明系統(tǒng)的載��
此外,它還具備以下特�(diǎn)�
- 高導(dǎo)熱�,能夠快速將熱量從關(guān)鍵組件中散發(fā)出去�
- 良好的機(jī)械強(qiáng)度和抗熱沖擊�
- 小型化設(shè)�(jì)適配�(xiàn)代緊湊型電子�(shè)備需��
- 兼容多種焊接工藝,方便與其他元器件集成�
- 低介電損�,有助于減少信號傳輸過程中的能量損失�
1206N122G101CT 廣泛�(yīng)用于對熱管理和電氣性能有較高要求的�(lǐng)�,包括但不限于以下場景:
- 功率半導(dǎo)體模塊:� IGBT � MOSFET 的封裝基板�
- 射頻和微波電路:用于高頻率通信系統(tǒng)中的信號放大器和其他�(guān)鍵部��
- LED 照明:為大功� LED 提供高效的散熱路徑�
- 工業(yè)控制�(shè)備:支持高溫�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
- 汽車電子:在電動(dòng)車動(dòng)力系�(tǒng)和自�(dòng)駕駛傳感器中�(fā)揮重要作用�
- �(yī)療器械:確保診斷和治療設(shè)備的可靠�(yùn)��
1206N122G100CT
1206N122G102CT
1210N122G101CT