1206N120G201CT 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),由知名半導(dǎo)體廠商生�(chǎn)。該型號�(shè)計用于高頻和高功率應(yīng)用場�,例如射頻放大器、無線能量傳輸設(shè)備以及雷�(dá)系統(tǒng)�。其封裝形式為表面貼� (SMD),具有緊湊的尺寸和卓越的電氣性能�
這款 GaN HEMT 的主要特點是能夠在高頻條件下保持高效率和高增�,同時具備較低的�(dǎo)通電阻和較高的擊穿電�,非常適合需要高性能和高可靠性的�(yīng)用場��
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�20A
輸出功率密度�4W/mm
柵極電荷�15nC
�(dǎo)通電阻:30mΩ
擊穿電壓�150V
工作溫度范圍�-55� � +175�
1206N120G201CT 擁有卓越的高頻性能和高效的功率�(zhuǎn)換能�。與傳統(tǒng)的硅� MOSFET 相比,它能夠提供更高的開�(guān)速度和更低的�(dǎo)通損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
GaN 技�(shù)還賦予了這款晶體管更高的熱穩(wěn)定�,使其在高溫�(huán)境下依然可以保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
此外�1206N120G201CT 采用緊湊� SMD 封裝,減少了寄生電感和寄生電容的影響,進一步提升了高頻性能�
該器件還支持快速的開關(guān)切換,適用于高頻率下的脈沖調(diào)制應(yīng)�。通過�(yōu)化的制造工藝,保證了低噪聲和高可靠��
1206N120G201CT 廣泛�(yīng)用于高頻功率放大器、Doherty 放大�、基站射頻模�、航空航天及國防雷達(dá)系統(tǒng)、工�(yè)微波�(shè)備以及無線能量傳輸領(lǐng)��
由于其高效率和高功率密度的特�,也常被用作激光驅(qū)動器或高速開�(guān)電路的核心元��
另外,這款芯片還適合于要求苛刻的工�(yè)和醫(yī)療設(shè)備中,例如超聲波�(fā)生器和粒子加速器��
1206N120G101CT, 1206N120G301CT