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1206N120G201CT 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 13:25:28 查看 閱讀�9

1206N120G201CT 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),由知名半導(dǎo)體廠商生�(chǎn)。該型號�(shè)計用于高頻和高功率應(yīng)用場�,例如射頻放大器、無線能量傳輸設(shè)備以及雷�(dá)系統(tǒng)�。其封裝形式為表面貼� (SMD),具有緊湊的尺寸和卓越的電氣性能�
  這款 GaN HEMT 的主要特點是能夠在高頻條件下保持高效率和高增�,同時具備較低的�(dǎo)通電阻和較高的擊穿電�,非常適合需要高性能和高可靠性的�(yīng)用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�20A
  輸出功率密度�4W/mm
  柵極電荷�15nC
  �(dǎo)通電阻:30mΩ
  擊穿電壓�150V
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

1206N120G201CT 擁有卓越的高頻性能和高效的功率�(zhuǎn)換能�。與傳統(tǒng)的硅� MOSFET 相比,它能夠提供更高的開�(guān)速度和更低的�(dǎo)通損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
  GaN 技�(shù)還賦予了這款晶體管更高的熱穩(wěn)定�,使其在高溫�(huán)境下依然可以保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
  此外�1206N120G201CT 采用緊湊� SMD 封裝,減少了寄生電感和寄生電容的影響,進一步提升了高頻性能�
  該器件還支持快速的開關(guān)切換,適用于高頻率下的脈沖調(diào)制應(yīng)�。通過�(yōu)化的制造工藝,保證了低噪聲和高可靠��

�(yīng)�

1206N120G201CT 廣泛�(yīng)用于高頻功率放大器、Doherty 放大�、基站射頻模�、航空航天及國防雷達(dá)系統(tǒng)、工�(yè)微波�(shè)備以及無線能量傳輸領(lǐng)��
  由于其高效率和高功率密度的特�,也常被用作激光驅(qū)動器或高速開�(guān)電路的核心元��
  另外,這款芯片還適合于要求苛刻的工�(yè)和醫(yī)療設(shè)備中,例如超聲波�(fā)生器和粒子加速器��

替代型號

1206N120G101CT, 1206N120G301CT

1206n120g201ct推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

1206n120g201ct參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格4,000 : �0.49317卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容12 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級-
  • �(yīng)�通用
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引線間距-
  • 引線樣式-