混頻二極管是一種肖特基勢壘二極�,與一般二極管相比,由于利用多�(shù)載流子工作,沒有少數(shù)載流子儲存效�(yīng),所以具有頻率高、噪聲低和反向電流小等特�(diǎn),主要用于混頻器�
混頻二極管是利用金屬和N型半�(dǎo)體相接觸所形成的金屬半�(dǎo)體結(jié)的原理而制成的。當(dāng)金屬與半�(dǎo)體相接觸�(shí),它們的交界面處會形成阻礙電子通過的肖特基勢壘,即表面勢壘。為了使半導(dǎo)體中的載流子容易地越過勢壘�(jìn)入金屬,它必須采用電子逸出功(電子跑出半導(dǎo)體或金屬表面所需的能量)比金屬大得多的N型半�(dǎo)�。當(dāng)二極管加上正向偏壓時(shí),勢壘下降,多數(shù)載流子(電子)便從半�(dǎo)體�(jìn)入金��
1、正向特�
這里以日立公司的1SS86/1SS87為例說明。它們的正向特性由�1所�,當(dāng)正向電流IF�1mA�(shí)�1SS86的正向壓降VF�0.2V�1SS87的VF�0.45V;當(dāng)IF�10mA�(shí)�1SS86的VF=0.4V�1SS87的VF=0.6V。另外,從表1中可知,國外混頻二極管的正向特性越做越�,主要表�(xiàn)在正向特性的一致性更好,有類似于�?nèi)莨艿呐鋵μ�?,如在IF=10mA��1SS165的VF=520mV�600mV±5mV;HSM88S/SR與HSM88AS/ASR的VF分別�520mV�600mV±10mV�500mV�580mV±10mV,表明VF的偏差只�5mV�10mV�
2、反向特�
它們的反向特性由�2所�?;祛l二極管的反向漏電流較小,如在VR=2V��1SS86的IR�20μA�1SS87的IR�1μA;在VR=4V��1SS86的IR�70μA�1SS87的IR�4μA,表�1SS87的反向特性比1SS86�。混頻器要求混頻二極管的反向漏電流小,這樣,混頻器的噪聲系�(shù)也小�
3、結(jié)電容
它們的�(jié)電容與反向電壓的�(guān)系由�3所示。當(dāng)VR=0V�(shí)�1SS86/1SS87的結(jié)電容C都小�0.85pF;在VR=1V�(shí),它們的電容C都小�0.7pF。由于混頻二極管的結(jié)電容較小,所以混頻器的頻率較�。另外,從表1可知,國外混頻二極管的結(jié)電容的偏差也越來越小,如在VR=0V�(shí)�1SS88/1SS165/1SS166的電容偏差ΔC均為±0.05pF;HSM88S/SR、HSM88AS/ASR和HSM88WA/WK的ΔC均為±0.1pF�
所謂二極管混頻器就是混頻器中的非線性器件采取混頻二極管的混頻器,它的電原理圖如�5所示。圖5中L1C1為輸入信號回�,調(diào)諧于輸入信號頻率fS;L2C2為輸出中頻回�,調(diào)諧于中頻頻率fi。輸出中頻回路直接與混頻二極管D、信號輸入電壓μS、本振電壓μO和偏置電源EO串聯(lián)在一�,輸出中頻電壓μi全部反作用到混頻二極管上。這種二極管混頻器具有電路簡單、噪聲小和工作頻率高等特�(diǎn),但混頻電壓增益較低。這種電路在大信號混頻中使用時(shí),混頻二極管在開�(guān)狀�(tài)工作,它能獲得較大的動態(tài)范圍,所以在微波電路中較廣泛地應(yīng)�。若采用單�(gè)器件組成的混頻器,其非線性和動態(tài)范圍都不太理�?,F(xiàn)�,彩電電�(diào)諧器大多采用兩�(gè)或多�(gè)器件組成的平衡混頻器和差分對混頻器等,以提高混頻器的性能�
維庫電子�,電子知識,一查百��
已收錄詞�153979�(gè)