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絕緣體上�
閱讀�10479時間�2011-08-19 14:25:05

  絕緣體上硅(SOI,Silicon-on-insulator)被�(yè)界公認為納米技�(shù)時代取代�(xiàn)�單晶�材料的解決方案之一,是維持 Moore 定律走勢的一大利�。絕緣體上硅是指以“工程化的”基板代�?zhèn)鹘y(tǒng)的體型襯底硅的基板技�(shù),應用于諸如軍事和空間電子系�(tǒng)等一些專門場合已有20多年,由于SOI具有良好的抗輻射性和高速特性,使它在這些�(lǐng)域具有獨特的�(yōu)��

制備技�(shù)

  SOI 材料� SOI 技�(shù)�(fā)展的基礎(chǔ),SOI 技�(shù)� �(fā)展有賴于 SOI 材料的不斷進步。缺乏低成本� 高質(zhì)量的 SOI 材料一直是制約 SOI 技�(shù)進入大規(guī) 模工�(yè)生產(chǎn)的首要因�。近年來,隨� SOI 材料 制備技�(shù)的成熟,制約 SOI 技�(shù)�(fā)展的材料問題 正逐步被解�。SOI 材料的制備技�(shù)歸根�(jié)底包� 兩種, 即以離子注入為代表的注氧隔離技�(shù) (Speration-by-oxygen implantation, � SIMOX)和鍵 � (Bond)技�(shù)� 鍵合技�(shù)包括傳統(tǒng)� Bond and Etch back (BESOI)技�(shù)和法� SOITEC 公司�(chuàng)始人 之一 M.Bruel 提出�(jié)合氫離子注入與鍵合的注氫� 能剝離技�(shù)(Smart-cut),以及陳猛博士� 2005 年提 出的將注氧隔離與鍵合相結(jié)合的 Simbond SOI 材料 制備新技�(shù)。以下對各種技�(shù)的應用現(xiàn)狀與優(yōu)� 點做一些闡��

  1 注氧隔離技�(shù)

  注氧隔離技�(shù) (SIMOX ,Seperation by Implantation of Oxygen)。是�(fā)展最早的 SOI 圓片 制備技�(shù)之一,曾�(jīng)也是很有希望大規(guī)模應用的 SOI 制備技�(shù)之一。采用此技�(shù)在普通圓片的層間 注入氧離�,經(jīng)超過 1300℃高溫退火后形成隔離 層。此方法有兩個關(guān)鍵步驟:高溫離子注入和后 �(xù)超高溫退�。在注入過程中,氧離子被注入� 片里,形成硅的氧化物沉淀。然而注入對圓片� 成相當大的損壞,而二氧化硅沉淀物的均勻性也 不很�。隨后進行的高溫退火能幫助修復圓片� 傷區(qū)域并使二氧化硅沉淀物形成二氧化硅絕緣層� 界面陡峭均勻�

  法國 SOITEC 和美� IBIS 以及 IBM,日本� SUMCO 以及日本� Nippon Steel 等曾�(jīng)� SIMOX 技�(shù)的大力推廣者。SOITEC 在后來逐步�(fā)展成� � SMART-CUT 技�(shù)后基本徹底擯棄了 SIMOX 技 �(shù);而美� IBIS 由于市場技�(shù)等原因也� 2005 年宣布放� SIMOX 材料制備技�(shù)從而集中于注入 機的研制。在 SIMOX �(fā)展過程中,SOITEC � IBIS 都完善和成熟了高劑量(大約 1.7E18/cm2)即全劑量 (Full-dose)SIMOX 制備技�(shù); 而日本的 Nippon Steel (�(xiàn)在被 WACKER 收購)� IZUMI �(fā)明了�(nèi)部熱� �(ITOX,Internal Oxidization )工藝,是低劑量 SIMOX 技�(shù)�(fā)展過程中的里程碑,為新的低劑� SIMOX �(fā)展指明了�(fā)展方�。其�, IBM � D.K.Sadana 等在 IZUMI 的基�(chǔ)�,�(fā)展了新的改� 的低劑量 (MLD ,Modified Low Dose) SIMOX � �。值得提出的是,IBM 的研究人員在低劑� SIMOX 圓片制備技�(shù)中作出了的貢�,迄� 幾乎所有能夠產(chǎn)�(yè)化的低劑� SIMOX 制備技�(shù)� 來自� IBM 研究人員的工�。其�,IBM � IBIS � SUMCO 合作, � MLD SIMOX 曾經(jīng)�(fā)展到每� 月定量向 IBM � NEW YORK � East Fishkill 提供 8 � 12 英寸 SIMOX 片的輝煌成就。但�,其后� 于各種原�,IBIS � 2005 年最終宣布退� SIMOX 材料制備, SIMOX � IBM 的應用也逐漸減少� 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技�(shù)研究所林成� 研究員為首的研究小組,多年在 SOI �(lǐng)域堅持研 �,在推動我� SOI 應用方面做了很多工作。陳� 博士在微系統(tǒng)所工作期間,�(fā)�(xiàn)了氧離子注入制備 過程中的能量劑量�(guān)�,并以此制備低劑量 SIMOX 材料。上海新傲科技秉承微系�(tǒng)所林成魯研究員 為首的長期積�,并于 2001 年引進美� IBIS 公司 的氧離子注入機及相關(guān) SIMOX 生產(chǎn)工藝,生產(chǎn) 4/5 � 6 英寸 SIMOX �(chǎn)�。上海新傲科技的成�,標志 著我國真正可以小批量生產(chǎn) SIMOX 圓片。新� 科技成立�,�(chǎn)品曾在國�(nèi)研究院所和高校得到研 究使�, 推動了國�(nèi) SOI 的相�(guān)技�(shù)研究的發(fā)展�

  除新傲科技以外,北京師范大學、長沙電� 48 研究所等均� SIMOX 研究方面有所涉及。長� 電子 48 所還獨立開�(fā)出了氧離子注入機,并發(fā)展了 相關(guān)的制備工藝�

  SIMOX 的缺點在于長時間大劑量的離子注入� 以及后續(xù)的長時間超高溫退火工�,導� SIMOX 材料�(zhì)量和�(zhì)量的�(wěn)定性以及成本方面難以得� 有效的突�,這是目前 SIMOX 難以得到�(chǎn)�(yè)界的� 全接受和大規(guī)模應用的根本原因� SIMOX 的技 �(shù)難點在于顆粒的控�、埋層特別是低劑量超� 劑量埋層的完整性、金屬沾�、界面臺的控制� 界面和表面的粗糙度以及表層硅中的缺陷�,特 別是�(zhì)量的�(wěn)定性很難保��

  � 4/5/6 英寸 SIMOX 片的市場基本上是提供 給大專院校和研究所� SOI 技�(shù)實驗而用,迄今� 有形成產(chǎn)�(yè)�(guī)��8 英寸� 12 英寸 SIMOX 片目 前只有日本的 SUMCO � S.E.H 能夠少量供應?�?而言之,SIMOX 在小尺寸�4�5 � 6 英寸)的� 用非常局限,大規(guī)模應用基本沒有形�;在大尺 �(8 英寸� 12 英寸)的應用方�,IBM, Motorola 以及 AMD 有少量使用,大尺� SIMOX 還需要在 �(zhì)量和�(zhì)量的�(wěn)定性以及成本方面得到更進一� 的提�。SIMOX 的規(guī)模效應的來臨尚需時日�

  2 鍵合技�(shù)

  通過在硅和二氧化硅或二氧化硅和二氧化� 之間使用鍵合(Bond)技�(shù),兩個圓片能夠緊密鍵� 在一�,并且在中間形成二氧化硅層充當絕緣層� 鍵合圓片在此圓片的一�(cè)削薄到所要求的厚度后 得以制成。這個過程分三步來完�。步是在 室溫的環(huán)境下使一熱氧化圓片在另一非氧化圓� 上鍵合;第二步是�(jīng)過退火增強兩個圓片的鍵合 力度;第三步是通過研磨、拋光及腐蝕來減薄其 中一個圓片直到所要求的厚��

  鍵合技�(shù)是同 SIMOX 同步�(fā)展起來的技�(shù)� 兩者各自側(cè)重于不同應用需�。世界上曾經(jīng)和現(xiàn) 在可以提供鍵合產(chǎn)品的供應商包括日本的 S.E.H,SUMCO, Toshiba Ceramic, 芬蘭� OKEMATIC�2002 年,目前�(cè)重于 MEMS 用鍵� SOI 的供應), 英國� BCO(有 20 多年的歷史) 以及美國� ISONIC(于 2006 年宣布放棄鍵� SOI�,韓國的 LG(2005 年放棄小尺寸鍵合 SOI)� 及上海新傲科技(2005 年底建成 5/6 英寸中試�)� 但是,真正能夠提供高�(zhì)量鍵合產(chǎn)品的基本只有 日本� S.E.H,目前基本達到量�(chǎn)�(guī)模的廠家,使 用的均是日本� S.E.H 公司�(chǎn)�。其它公�,基� 是側(cè)重于供應大專院校與研究所以及小批量生�(chǎn) 公司,更多的以樣品的形式提供鍵合�(chǎn)��

  信息�(chǎn)�(yè)部電� 24 所毛如炎領(lǐng)導的團隊� 2004 年建成實驗室,生�(chǎn) 4 英寸的鍵� SOI �(chǎn)品� 在陳猛博士領(lǐng)導下,上海新傲科技公司,于 2005 年中期同美國 ACA 公司合作開發(fā)鍵合技�(shù),并� 2005 � 12 月成功的建成了一條中試生�(chǎn)�,生�(chǎn) 5 � 6 英寸鍵合 SOI �(chǎn)品。該�(chǎn)品其后開始在國際 多個公司論證并獲得良好的效��

  鍵合�(chǎn)品瞄準的客戶主要是高溫高壓器件� MEMS 器件、汽車電�、傳感器以及航空航天� 面的特種器件�。在 SOI 沒有廣泛應用于民用器 件前 (1998 � IBM 個成功的使用 SOI 制備� 的服務器� CPU � SOI 商業(yè)化的標志),鍵� SOI � SOI 的主要材料制備技�(shù),但市場增長緩慢� 但是,隨著近年來 PDP 以及汽車電子等大量高� 高功率器件的廣泛應用和穩(wěn)定增�,鍵合市場也 不斷�(wěn)步成長。目前鍵合技�(shù)包括大量的量�(chǎn)� �,如日本� Panasonic� TI� FUJI� NEC� Renesas� Toshiba� Denso �;歐洲的 Philips、Atmel、Elmos、X-Fab �;韓國的 Hynix;美國的 National Semi、Maxim、ADI、Clare 等。這些用戶大量� � 5 英寸� 6 英寸的鍵� SOI 材料,少量客戶使� 8 英寸鍵合 SOI 圓片。目前鍵合技�(shù)制備� 5 � 寸和 6 英寸 SOI 在小尺寸 SOI �(lǐng)域里面占主要� 額� 鍵合技�(shù)的核心問題是表層硅厚度的均勻性控� 問題,這是限制鍵合技�(shù)廣泛推廣的根本原因� 目前的技�(shù)水品通常�+/-0.5μm,好的可以達到 + /-0.3μm 以內(nèi)。除此之外,鍵合的邊緣控�、界 面缺陷問題、翹曲度彎曲度的控制、滑移線控制� 顆粒控制、崩�、界面沾污等問題也是限制�(chǎn)�(yè) 化制備鍵� SOI 的關(guān)鍵技�(shù)問題。成品率和成� 問題是鍵合產(chǎn)品被量產(chǎn)客戶接受的核心商�(yè)問題�

  曾經(jīng)有不同的研究人員提出過多種改進鍵� 均勻性的方法和技�(shù),但這些技�(shù)�(chǎn)品至目前� �,還難以批量向客戶供應�

  3 注氧鍵合技�(shù)

  在傳�(tǒng)的鍵合和離子注入技�(shù)的基�(chǔ)�,陳 猛博士于 2005 年提出了注氧鍵合技�(shù) (Simbond),以此解決傳統(tǒng)鍵合表層硅均勻性難 以控制的問題?;�?,上海新傲科技公司� 2005 年年底生�(chǎn)出批 Simbond SOI 材料,均 勻性達�+/-10nm,且埋層厚度可�(diào)。在此基�(chǔ)上外 延后頂層硅厚度均勻性可控制�+/-2.0%范圍�(nèi)� 該技�(shù)利用氧離子注入和后續(xù)的退火工�,利� 氧離子注入產(chǎn)生的一個分布均勻的離子注入�� 并在退火過程中形成二氧化硅絕緣�。此二氧� 硅絕緣層用來充當化學腐蝕阻擋�,可對圓片在 最終拋光前器件層的厚度及其均勻性有很好的控 �。由于在此工藝中,表層硅的均勻性由氧離� 注入工藝來控�,因此,頂層硅均勻性很�。同 �,絕緣埋層的厚度可隨意調(diào)節(jié)。一般來說,� 層硅的厚度均勻性可以控制在+/-10nm 以內(nèi) (頂 層硅厚度小于 300nm��

  如果為了獲得更厚的頂層硅,可以采用外� 技�(shù)。考慮到單片式外延爐的均勻性一般可以控 制在+/-2%甚至 1.5%以內(nèi),因�,采� Simbond 技 �(shù)加上外延制備厚頂層硅 SOI 材料,頂層硅的厚 度均勻性可以控制在+/-2%以內(nèi)�

  腐蝕阻擋層的缺陷和注入劑量的減小是一� 矛盾。如何使用超低劑量制備出具有良好腐蝕� 擋效果的腐蝕阻擋�,是該技�(shù)能否實用化和� 到產(chǎn)�(yè)界認可的�(guān)�??偠灾?,注氧成本決� 了最� SOI 材料的成�,而腐蝕阻擋層的質(zhì)量決 定了最� SOI 材料頂層硅以及在此基�(chǔ)上外延生 長的外延層的�(zhì)量�

  4 注氫鍵合技�(shù)(智能剝�,Smart-Cut�

  1995 � M Bruel 利用鍵合和離子注入技�(shù)� �(yōu)點提出了智能剝離(Smart-Cut)技�(shù)。它是利 用氫離子注入到硅片中,形成具有氣泡層的注� 片,與支撐硅片鍵合(兩個硅片中至少有一片的 表面帶有熱氧化的 SiO2 覆蓋層),經(jīng)適當?shù)臒崽?理使注氫片從氣泡層處完整裂開,形� SOI �(jié)�(gòu)�

  Smart-cut 技�(shù)的核心在于利用氫離子注入� 特性結(jié)合常�(guī)鍵合技�(shù),利用氫離子注入引起� 剝離性能提高了頂層硅的均勻性。其它方面的� 制同常規(guī)鍵合技�(shù)類似。Smart-cut 技�(shù)問世以來� 以法� SOITEC 公司為主的研究發(fā)展了大量相關(guān)� 技�(shù),使 Smart-cut 成為�(xiàn)在站壟斷地位的薄� SOI 制備技�(shù),其薄膜市場的占有率目前接近 100%。SOITEC 也憑� Smart-cut 技�(shù)成為世界� 核心的薄� SOI 供應��

  目前世界上日� S.E.H 和德� WACKER 均取 得了 SOITEC 的技�(shù)許可,可以生�(chǎn) 8 英寸� 12 英寸� Smart-cut �(chǎn)��

  注氫鍵合技�(shù)一般也用于制備薄膜 SOI 材料� 要制備頂層硅厚度大于 1.5μm � SOI 材料,需� 外延技�(shù)的輔助�

基板�(gòu)�

  絕緣體上硅基板由以下三層�(gòu)成:

  薄薄的單晶硅頂層,在其上形成蝕刻電路

  相當薄的絕緣二氧化硅中間�

  非常厚的體型襯底硅襯底層,其主要作用是為上面的兩層提供機械支��

  開始采用SOI材料做基板時,芯片制造商在生�(chǎn)過程中仍然能夠繼�(xù)使用傳統(tǒng)的制造工藝和�(shè)�。事實證�,SOI完全能夠滿足主流MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的性能需求。對部分耗盡型和全部耗盡型CMOS(互補金屬氧化物半導體) 器件的性能改善、漏電流減小以及功耗減少等都會�(chǎn)生極大地影響,特別適合于低電壓器件結(jié)�(gòu)��

  除了CMOS器件,SOI還可用來制造技�(shù)的微電子機械系統(tǒng)(MEMS�,MEMS 可用于傳感器以及微光電技�(shù)電路�。此外,也可以利用SOI增強BiCMOS、功率器件和高壓器件的性能,另外還能夠改善在高溫環(huán)境或者曝光在電離輻射�(huán)境下的集成電路的性能�

�(yōu)�

  絕緣體上的硅(SOI,silicon-on-insulator)指的 是絕緣層上的�。它是一種具有獨特的“Si/絕緣 �/Si”三層結(jié)�(gòu)的新型硅基半導體材料。它通過� 緣埋層(通常� SiO2)實�(xiàn)了器件和襯底的全� �(zhì)隔離,在器件性能上具有以下優(yōu)點:

  1) 減小了寄生電�,提高了運行速度。與� 硅材料相�,SOI 器件的運行速度提高� 20-35%�

  2) 具有更低的功�。由于減小了寄生電容� 降低了漏�,SOI 器件功耗可減小 35-70%�

  3) 消除了閂鎖效��

  4) 抑制了襯底的脈沖電流干擾,減少了軟錯 誤的�(fā)��

  5) 與現(xiàn)有硅工藝兼容,可減少 13-20%的工序�

  SOI 在高性能超大�(guī)模集成電�、高速存貯設(shè) �、低功耗電�、高溫傳感器、軍用抗輻照器件� 移動通訊系統(tǒng)、光電子集成器件以及 MEMS(微機 �)等領(lǐng)域具有極其廣闊的應用前景,被國際上公 認為�21 世紀的硅集成電路技�(shù)?�?/FONT>

應用

  1、SOI 的高端應用�8 英寸� 12 英寸的薄� SOI

  國際 SOI 市場 95%的應用集中在 8 英寸�1 � �=25.4 毫米)和 12 英寸大尺寸薄� SOI,其中絕 大多�(shù)用戶為微電子技�(shù)的引導�,如 IBM、AMD �。目前供應商為法� SOITEC、日 本信越(SEH�、日� SUMCO,其� SOITEC � 前兩家用戶供應了幾乎全部� SOI �(chǎn)�。其主要 �(qū)動力來自于高速、低功� SOI 電路,特別是� 處理器(CPU)應�,技�(shù)含量�,附加值大 [2-4]。例如,2005-2006 財務年度 SOITEC 公司� 售的 SOI 圓片�12 英寸� 60%�8 英寸� 28%� 其他� 12%??梢?,SOI 的高端應用,主要是需� 12 英寸的圓��

  SOI 材料市場每年約擴� 40%,2006 年更� 增長了將� 100%。預計到 2010 年,�(guī)模將超過 10 億美�,遠遠高于硅材料每年 7.7%的增長�� 屆時 SOI 材料將占全部硅半導體材料� 10�。最 近,SOI 材料在民用設(shè)備中的應用越來越�,任� 堂“Wii”、索尼計算機娛樂(SCE)“PS3�、美� 微軟“Xbox 360”等 3 款游戲機全部配備了采 � SOI 材料的處理器。今�,還有望應用于數(shù)� 相機、平板電視和汽車等使用的處理器和 SoC (系�(tǒng)芯片��

  IBM � AMD 等公司是 SOI 技�(shù)的主要推動�� IBM 在其紐約� 12 英寸生產(chǎn)� 100%采用 SOI � 料以替代硅襯底材�,用 SOI 技�(shù)推出了新� AS/ 400 服務器系�,比目前的高端機型的速度幾乎� � 4 �。IBM、SONY、TOSHIBA �(lián)合開�(fā) SOI � 90�45nm 線寬的技�(shù),并� S0I 技�(shù)引入電子 消費類芯片的生產(chǎn)�,市場非常廣��

  AMD � SOI 技�(shù)移植入所� PC 處理�,用 � Athlon 64、Turion 64、Opteron �,是目前全球最 大的 SOI 材料消費�。AMD 宣布�(zhuǎn)移至 65 納米 制程技�(shù),并�(fā)表新一代高效能運算方案,推� 高效� AMD Athlon 64 X2 雙核心桌上型處理�� 采用 65 納米線寬技�(shù)� AMD 處理�,在同時�(zhí) 行多個應用程序時能發(fā)揮優(yōu)異的效能,讓�(yè)者能 開發(fā)體積小巧的個人計算�,適合住家與辦公� �(huán)境應�。在 2007 年中,AMD � Fab 36 晶圓� 將完全轉(zhuǎn)移至 65 納米技�(shù)�

  隨著微處理器(CPU�、游戲機芯片 (GPU)制程對 SOI 技�(shù)需求愈來愈�,SOI 已成 為各大晶圓代工角逐核心客戶青睞的武器。臺� 電、聯(lián)電都不敢輕忽先進制程以下導� SOI 技�(shù) 大量生產(chǎn)的重要�,新加坡特許半導體則搶先� 90 納米制程便采� IBM 授權(quán),贏得微� (Microsoft)XBOX 360 GPU 訂單。臺積電正評 估未� 45 納米制程爭取代工 CPU 的可能性,未來 更積極取� SOI 技�(shù)勢在必行�

  SOITEC 公司為滿足全�?qū)?SOI 與其它襯底不 斷增加的需�,宣布其擴充�(fā)展策�。截� 2006 � 3 月為止,SOITEC � Bernin 生產(chǎn)�(jù)點的 投資已超� 3.5 億歐�,預計在�(shè)備裝�(shè)完成時的 總投資將超過 5 億歐�,員工人�(shù)接近 1000 �� SOITEC 針對 300 毫米晶圓的年�(chǎn)能預估將可從� 前的 72 萬片提升� 100 萬片。SOITEC 選擇在新 加坡�(shè)立新� 300 毫米 SOI 晶圓�,名為三號晶 圓廠�2005 財年,SOITEC 公司� AMD 簽訂� 1 � 5000 萬美元的 SOI 材料供貨合同�2006 財年� 新簽訂了 3 � 5000 萬美元的合同�

  但是,Smart-cut 技�(shù)擁有的薄� SOI 市場� Intel 采用 SOI 與否極其相關(guān)。Intel 的參與將極大 的改� SOI 的發(fā)展方��

  2、SOI 的其它應用�4-6 英寸 SOI

  SOI 早期的主要應用集中在航空、航天和軍事� �(xiàn)在拓展到功率和智能器件以及微電子機械系統(tǒng) (MEMS)應�。特別是在汽車電�、顯�、無 線通訊等方面發(fā)展迅�。由于電源的控制與轉(zhuǎn)換� 汽車電子以及消費性功率器件方面對惡劣�(huán)�� 高溫、大電流、高功耗方面的要求,使得為滿足 可靠性方面的嚴格要求不得不采� SOI 器件。在 這些�(lǐng)域多采用 5 英寸� 6 英寸鍵合 SOI 材料,目 前的用戶包括美國 Maxim、ADI、TI,日� NEC、Toshiba、Panasonic、Denso、FUJI、Omron �,以及歐� Philips、X-Fab �。這個領(lǐng)域的特點 在于 SOI 器件技�(shù)相對比較成熟,技�(shù)含量相對 較低,器件的利潤也相對較�,對 SOI 材料的價 格比較敏�。在這些 SOI 材料用戶里面,主要應 用來源于各種應用中的�(qū)動電路:� Maxim 的應 用于主要為手機接收端的放大器電路� Panasonic、TI� FUJI、Toshiba、NEC 等主要應� 在顯示驅(qū)動電路中的掃描驅(qū)動電路;Denso 的應� 主要在汽車電�、無線射頻電路等;Toshiba 的應 用甚至在空調(diào)的電源控制電路中;Omron 主要� 傳感器方�;ADI 也主要在高溫電路、傳感器�� � Phillips 的應用則主要是功率器件中� LDMOS,用于消費類電子中如汽車音響、音頻放 大器�;韓國的 Magnchip(Hynix)則為 Kopin 生產(chǎn) 用于�(shù)碼相機的顯示�(qū)動電路和� LG 生產(chǎn)� PDP 顯示�(qū)動電路等�

  4 � 6 英寸 SOI 的發(fā)展方向為高壓高功率器�� MEMS、傳感器等領(lǐng)域。鍵合技�(shù)是生�(chǎn) 4 � 6 � 寸厚埋層 SOI 材料的主流技�(shù)。SIMOX 技�(shù)在本 �(lǐng)域使用有��

  對于汽車電子方面的應�,諸� NXP(� Philips Semiconductor)、Denso(日本電裝株式會社)� Renesas(瑞薩)、Atmel(愛特梅爾)以及 National Semiconductor(國家半導�)等公司正在使� SOI � 幫助汽車制造商們設(shè)計出更安�、更舒適以及� 便捷的汽車�

  DaimlerChrysler(戴姆勒克萊斯勒�� BMW(寶馬)、Ford(福特)、GM(通用)、VW(� 國大�)� Toyota(豐田)以及更多的汽車廠商正 在嘗試在跨多重應用和汽車�(wǎng)絡協(xié)議使用的基于 SOI 的芯�。SOI 使得芯片能夠在很高的溫度�(huán)� 下(例如,在汽車引擎附近)運�,甚至在電子 噪聲�(huán)境下也能夠正常運�。同時,它還能實�(xiàn) “智能功率”IC,即能�?qū)�?shù)�、模擬以及功率組 件緊密地封裝在同一只芯片中�

  3、SOI 在集成光通訊方面的應�

  SOI 作為一種結(jié)�(gòu)材料,在集成無源光通信� 件方面的應用� 20 世紀初曾�(jīng)很火�。在密集� 分復�(DWDM)、波分復�(WDM)、光耦合 VOA、AWG 等方面都曾大量開� SOI 的應�,� 圖用于高速寬帶接口等方面�

  但是,SOI 在集成光通訊方面的應用在 2000 � 后由于整個光通信市場的變化而迅速衰退。這方 面的典型公司為英� Bookham。Bookham � SOI 基無源光通信器件�(fā)展起來而上市(IPO,Initial Public Offering)首次公開募股成�,后來隨光通信 市場的變化而完全淡� SOI 基無源光通信�(lǐng)�,�(zhuǎn) 而發(fā)展基于傳�(tǒng)材料的有源光通信器件�

锡林浩特�| 平南�| 雅安�| 房山�| 九龙城区| 繁峙�| 田阳�| 阳曲�| 响水�| 大庆�| 昭觉�| 方城�| 板桥�| 林州�| 安乡�| 正镶白旗| 略阳�| 拉孜�| 阿合奇县| 扎兰屯市| 扶沟�| 富阳�| 西和�| 西华�| 新昌�| 樟树�| 青浦�| 海南�| 承德�| 平遥�| 巨野�| 祥云�| 栾城�| 灵川�| 宽甸| 陵水| 巴彦淖尔�| 庆安�| 察哈| 广水�| 抚州�|