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雙柵�(chǎng)效應(yīng)�
閱讀�10214�(shí)間:2010-09-28 10:05:36

  雙柵�(chǎng)效應(yīng)�有一�(gè)源極、一�(gè)漏極和兩�(gè)柵極,在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻,其中兩�(gè)柵極是互相獨(dú)立的,使得它可以用來作高頻放大器�混頻��解調(diào)�及增益控制放大器��

主要參數(shù)

雙柵場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)

檢測(cè)方法

  1.判定柵極G

  將萬用表?yè)苤罵×1k檔分別測(cè)量三�(gè)管腳之間的電�。若�(fā)�(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮�,并且交換表筆后仍為無窮�,則證明此腳為G極,�?yàn)樗土硗鈨蓚�(gè)管腳是絕緣的�

  2.判定源極S、漏極D

  由圖1可見,在�-漏之間有一�(gè)PN�(jié),因此根�(jù)PN�(jié)�、反向電阻存在差異,可識(shí)別S極與D�。用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此�(shí)黑表筆的是S�,紅表筆接D極�

  3.測(cè)量漏-源通態(tài)電阻RDS(on�

  將G-S極短�,選擇萬用表的R×1檔,黑表筆接S�,紅表筆接D極,阻值應(yīng)為幾歐至十幾��

  由于�(cè)試條件不同,�(cè)出的RDS(on)值比手冊(cè)中給出的典型值要高一�。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)�(cè)一只IRFPC50型VMOS�,RDS(on�=3.2W,大�0.58W(典型值)�

  4.檢查跨�(dǎo)

  將萬用表置于R×1k(或R×100)檔,紅表筆接S極,黑表筆接D�,手持螺絲刀去碰觸柵�,表針應(yīng)有明顯偏�(zhuǎn),偏�(zhuǎn)愈大,管子的跨導(dǎo)愈高�

 

原理

  雙柵�(chǎng)效應(yīng)管也稱為雙柵MOS�。它是一�(gè)管子中有兩�(gè)控制�。從�(jié)�(gòu)上來看可以認(rèn)為是兩�(gè)單柵�(chǎng)效應(yīng)管的串聯(lián),增加了第二柵極g2,它具有一定的屏蔽作用,使得漏極與柵極之間的反饋電容變得很小,如圖所示是彩色電視�(jī)高頻�(diào)作用的雙柵場(chǎng)效應(yīng)管高頻放大器。雙柵場(chǎng)效應(yīng)管高頻放大器從結(jié)�(gòu)上來說可以認(rèn)為是共源-共柵放大器的形式。值得注意的是柵g2的電壓時(shí)可以改變�(chǎng)效應(yīng)管正向傳輸特性曲線的斜率,從而改變高頻放大器的增��

雙柵場(chǎng)效應(yīng)管的原理

雙柵�(chǎng)效應(yīng)管相�(guān)技�(shù)資料更多>>

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