門極可�(guān)�晶閘�(Gate-Turn-Off Thyristor —GTO)是晶閘管的一種派生器�??梢酝ㄟ^在門極施加負(fù)的脈沖電流使其關(guān)�。門�可關(guān)斷晶閘管的電�、電流容量較�,與普通晶閘管接近,因而在兆瓦�(jí)以上的大功率�(chǎng)合仍有較多的�(yīng)��
與普通晶閘管的相同點(diǎn)� PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)�(gòu),外部引出陽(yáng)�、陰極和門極�
和普通晶閘管的不同點(diǎn):GTO是一種多元的功率集成器件,內(nèi)部包含數(shù)十�(gè)甚至�(shù)百�(gè)共陽(yáng)極的小GTO�,這些GTO元的陰極和門極則在器件內(nèi)部并�(lián)在一��
由P1N1P2和N1P2N2�(gòu)成的兩�(gè)晶體管VT1、VT2分別具有共基極電流增益�1和�2�
a1+a2=1是器件臨界導(dǎo)通的條件。當(dāng)a1+a2>1�(shí),兩�(gè)等效晶體管過飽和而使器件�(dǎo)�;當(dāng)a1+a2<1�(shí),不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)��
1、抽取飽和導(dǎo)通時(shí)�(chǔ)存的大量載流子——儲(chǔ)存時(shí)間ts,使等效晶體管退出飽和�
2、等效晶體管從飽和區(qū)退至放大區(qū),陽(yáng)極電流逐漸減小——下降時(shí)間tf �
3、殘存載流子�(fù)合——尾部時(shí)間tt �
4、通常tf比ts小得�,而tt比ts要長(zhǎng)�
5、門極負(fù)脈沖電流幅值越�,前沿越陡,抽走�(chǔ)存載流子的速度越快,ts越短�
6、門極負(fù)脈沖的后沿緩慢衰�,在tt階段仍保持適�(dāng)�(fù)電壓,則可縮短尾部時(shí)� �