IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開(kāi)關(guān)頻率高（可達(dá)20KHZ），這兩點(diǎn)非常顯著的特性，最近西門(mén)子公司又推出低飽和壓降（2.2V）的NPT-IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、IR,摩托羅拉亦己在開(kāi)發(fā)研制新品種。

　　IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率1-20KHZ,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即DC/AC變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、UPS、開(kāi)關(guān)電源、斬波電源、無(wú)軌電車等。問(wèn)世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例SCR.GTO,GTR,MOSFET,雙極型達(dá)林頓管等淚今功率可高達(dá)1MW的低頻應(yīng)用中，單個(gè)元件電壓可達(dá)4.OKV（PT結(jié)構(gòu)）一6.5KV（NPT結(jié)構(gòu)），電流可達(dá)1.5KA,是較為理想的功率模塊。

　　A,柵極與任何導(dǎo)電區(qū)要絕緣，以免產(chǎn)生靜電而擊穿，所以包裝時(shí)將G極和E極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料，將它短接。裝配時(shí)切不可用手指直接接觸，直到G極管腳進(jìn)行性連接。

　　B、主電路用螺絲擰緊，控制極G要用插件，盡可能不用焊接方式。

　　C、裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái)，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。

　　D、儀器測(cè)量時(shí)，將1000電阻與G極串聯(lián)。

　　E、要在無(wú)電源時(shí)進(jìn)行安裝。

　　F,焊接G極時(shí)，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵最合適。當(dāng)手工焊接時(shí)，溫度2601C15'C.時(shí)間（10士1）秒，松香焊劑。波峰焊接時(shí)，PCB板要預(yù)熱80'C-]05'C,在245℃時(shí)浸入焊接3-4

　　IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標(biāo)的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡(jiǎn)化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡(jiǎn)化調(diào)試工作等，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系，所以世界各大器件公司都在奮力研究、開(kāi)發(fā)，予估近2-3年內(nèi)，會(huì)有突破性的進(jìn)展。目前已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,IGCT,電流型SGCT等。