FBAR,其英文全稱是Film Bulk Acoustic Resonator,也就是薄膜體聲�諧振�。它不同于以前的濾波�,是使用硅底�、借助MEMS技術以及薄膜技術而制造出來的。在無線收發(fā)器中實現(xiàn)鏡像消除、寄生濾波和信道選擇等功�,有較高Q值和易實�(xiàn)微型化等特點�
FBAR具有體積�、工作頻率高、效率高、插入損耗低、帶外抑制大、高Q、大功率容量、低溫度系數(shù)以及良好的抗靜電沖擊能力和半導體工藝兼容性等�(yōu)點。利用FBAR技術可以制作濾波器、振蕩器、雙工器等多種高性能頻率器件。與當前傳統(tǒng)的介質濾波器和聲表濾波器(SAW)相關技術相�,F(xiàn)BAR技術能提供更完善的功率處理能力、插入損耗和選擇度特��
FBAR的工作區(qū)由金屬底電極-壓電�-金屬上電極組成,器件工作于能�-厚度振動模式,工作頻率與壓電材料的厚度成反比。當電信號加載到FBAR上時,器件中的壓電薄膜通過逆壓電效應將電信號轉�?yōu)槁曅�?,器件特點的聲學結構對不同頻率的聲信號呈�(xiàn)出選擇性,其中的器件內滿足聲波全反射條件的聲信號將在器件內實現(xiàn)諧振,而不滿足諧振條件的聲信號就會衰減,在頻譜上與諧振聲信號頻率相差越多的聲信號衰減越��,在器件內幅度相位已產生差異的聲信號又通過壓電薄膜等比例地轉變成輸出電信號,這樣FBAR最終就表現(xiàn)出對電信號的選頻作用。FBAR與工作在千赫茲~兆赫茲的晶振中晶體諧振器及陶瓷濾波器中的陶瓷諧振器的工作原理是相同的。不同的�,一方面,F(xiàn)BAR的壓電膜厚度在微米量�,從而使其工作頻率可提高到吉赫茲級。另一方面,由于壓電膜太薄,使FBAR不可能象晶體諧振器那樣由壓電晶片來承托上下電�,因此FBAR必須有一個襯底,加工時先將金屬底電極蒸發(fā)或濺射到襯底�,然后在電極上沉積壓電薄�,再在壓電薄膜上形成金屬上電極�
FBAR的主要應用領域有PCS,CDMA和W-CDMA用射頻濾波器,F(xiàn)BAR振蕩器等,在手機濾波�,雙工器,射頻前端及PGS接收前端模塊已大量使�。當今的無線移動產品除了對體�,省電要求越來越高之外,頻率資源也越來越擁擠。高性能的FBAR濾波器,應用也更加充��
維庫電子�,電子知�,一查百通!
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