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微影技�(shù)
閱讀�4208時間�2011-03-31 21:48:53

  微影技�(shù)(Lithography)是制�晶體管及它們之間的連結(jié)的關(guān)鍵技�(shù),在半導(dǎo)�制程上較狹義之定�,一般是指以光子束經(jīng)由圖�(Mask, Reticle)�晶圓(Wafer)上之阻劑照射;以電子束、離子束�(jīng)由圖�、圖�(guī)(Stencil)對阻劑照射;或不�(jīng)由圖�、圖�(guī),對阻劑直接照射(直寫),使阻劑�(chǎn)生極性變�、主鏈斷�、主鏈交連等化學(xué)作用,經(jīng)顯影后將圖罩、圖�(guī)或直寫之特定圖案�(zhuǎn)移至晶圓�

可用技�(shù)�(zhǔn)�

  1.微影技�(shù)所要求的光�,可以用可見�(Visible)、近紫外� (Near Ultra-Violet, NUV)、中紫外�(Mid UV, MUV)、深紫外�(Deep UV, DUV)、真空紫外光(Vacuum UV, VUV)、極短紫外光(Extreme UV, EUV)、X-�(X-Ray)等光源對阻劑�(jìn)行照�;也可以用高能電子束(25 100 keV),低能電子束( 100 eV),鎵離子(Ga+)聚焦離子�(10 100 keV)對阻劑�(jìn)行照��

  2.微影技�(shù)所要求的線幅寬度,隨著半導(dǎo)體積體電路之積體層次的快速增�,也越來越小� 制�64百萬位元(64 Megabit)動態(tài)隨機存取記憶�(DRAM) 的設(shè)計準(zhǔn)�(Design Rules)最小線幅寬度約�0.35微米�256百萬位元約為 0.25微米�10億位�(1 Gigabit)約為0.18微米�40億位�(4 Gigabit)約為 0.15 0.13微米�

反射膜及其研�

  微影技�(shù)里最常見的是抗反射膜和高反射膜,抗反射膜是為了增加產(chǎn)能與消除鬼影,高反射膜是針對光束的操縱目�� 不過目前世界上對于紫外光區(qū)鍍膜技�(shù),僅限于氟化物的了解,且都尚未成�,未�(dá)到量�(chǎn)的技�(shù),至于光�(xué)特性如吸收仍有很大的改善空�,使得光�(xué)元件的效益受到限�,再考慮光學(xué)元件的壽命以及耐久性,�(xiàn)有的技�(shù)更是面臨很大的挑�(zhàn),由于紫外光光學(xué)薄膜日顯重要,現(xiàn)有的技�(shù)漸漸無法符合目前�(chǎn)�(yè)所�,所以研究開�(fā)新的鍍膜方法是勢在必行的�

�(fā)展趨�

  微影技�(shù)之發(fā)展日新月�,雖然新機臺、新材料、新制程不斷如泉涌而出,但為因�(yīng)電子元件未來日益趨向輕薄短小之需�,微影技�(shù)之改�(jìn)亦面臨愈來愈�(yán)苛之挑戰(zhàn),需要不斷地提高解析度以制作更微小的特征尺寸,亦即在單位面積上有更高密度容納更多的電晶體� 微影技�(shù)決定了元件之品質(zhì)、良率與成本� 微影技�(shù)在半�(dǎo)體制程中實具有關(guān)鍵性之影響� 在可�(yù)見之未來,符合摩爾定理之可能性將愈趨微小� 國內(nèi)微影制程研發(fā)人員在此方面大有可為�

廣義概念

  廣義的微影技�(shù)則包含了一些后�(xù)制程,如離子布植、金屬蒸�,電漿蝕刻之用等。其主要是指利用一定波長的紫外線透過掩膜(mask)后照射在硅晶元上,將掩膜上的電路圖像完整地復(fù)制到硅晶元上從而形成所需要的電路圖形的過�。掩膜其實可以看作是CPU�(nèi)核電路的微縮“底片�,廠商事前先將一幅有著非常復(fù)雜的�(shè)計模型的原圖縮小成極�(xì)微的蝕刻掩膜。未曝光的光阻劑�(jīng)化學(xué)處理及烘烤而硬�,因此能保護(hù)陰影下的區(qū)域稍后的化學(xué)蝕刻�

維庫電子�,電子知識,一查百��

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