非易失性存儲器是斷電后仍然能夠保持�(shù)�(jù)的存儲器,這也是與易失性存儲器的區(qū)��具有高�、高密度、低功耗和抗輻射等�(yōu)��
新型易失性存儲器分別�1.鐵電存儲器(FeRAM�2.磁性隨機存儲器(MRAM�3.相變存儲器(OUM)�
FeRAM、MRAM和OUM這三種存儲器與傳�(tǒng)的半導體存儲器相比有很多突出的優(yōu)�,其應用遠景十分誘人。近年來,人們對它們的研究己取得了可喜的進展,尤其是FeRAM己實�(xiàn)了初步的貿易應用。但它們要在實際應用上取得進一步重大突�,還有大量的研究工作要做。同時存儲技術的�(fā)展是沒有止境�,但是追求更高密�、更大帶�、更低功�、更短延遲時�、更低本錢和更高可靠性的目標永遠不會改變�
非易失性存儲器的特點是在斷電時不會丟失內容。閃速存儲器就是一類非易失性存儲器,即使在供電電源關閉后仍能保持片內信�;而諸如DRAM、SRAM這類易失性存儲器,當供電電源關閉時片內信息隨即丟�。閃速存儲器集其它類非易失性存儲器的特點,與EPROM相比�,閃速存儲器具有明顯的優(yōu)勀如在系�(tǒng)電可擦除和可重復編程,而不需要特殊的高電�;與EEPROM相比�,閃速存儲器具有成本�、密度大的特��
盡管目前非易失性存儲器中的就是閃存,但技術卻并未就此停步。生產商們正在開�(fā)多種新技�,以便使閃存也擁有像DRAM和SDRAM那樣的高速、低�、壽命長等特�� FRAM 是下一代的非易失性存儲器技�,運行能耗低,在斷電后能長期保存�(shù)�(jù)。它綜合了RAM高速讀寫和ROM長期保存�(shù)�(jù)的特�。這項技術利用了鐵電材料可保存信息的特點,使用工�(yè)標準的CMOS半導體存儲器制造工藝來生產,直到近日才研發(fā)成功。但�,F(xiàn)RAM的壽命是有限�,而其讀取是破壞性的,就是說一旦進行讀�,F(xiàn)RAM中存儲的�(shù)�(jù)就消失了� MRAM 是非易失性的存儲�,速度比DRAM還快。在實驗室中,MRAM的寫入時間可低至2.3ns。MRAM擁有無限次的讀寫能�,并且功耗極低,可實�(xiàn)瞬間開關機并能延長便攜機的電池使用時�。而且,MRAM的電路比普通存儲器還簡�,整個芯片只需一條讀出電�。但就生產成本來�,MRAM比SRAM、DRAM及閃存都高得�� OUM 是一種非易失性存儲器,可以替代低功耗的閃存。它擁有很長的讀寫操作壽�,并且比閃存更易集成。OUM存儲單元的密度極高,讀取操作完全安�,只需極低的電壓和功率即可工作,同�(xiàn)有邏輯電路的集成也相當簡�。用OUM單元制作的存儲器大約可寫�10億次,這使它成為便攜設備中大容量存儲器的理想替代品。但是,OUM有一定的使用壽命,長期使用會出一些可靠性問�� PFRAM 是一種塑料的、基于聚合物的非易失性存儲器,通過三維堆疊技術可以得到很高的密度,但它的讀寫操作壽命有限。PFRAM可能會替代閃�,并且其成本只有NOR型閃存的10%左右。塑料存儲器的存儲潛力也相當巨大� 今后,生產聚合物存儲器可能會變得像印照片一樣簡�,但今年才剛剛開始對這種非易失性存儲器的生產工藝進行研發(fā)。PFRAM的讀寫次�(shù)也有�,并且其讀取也是破壞性的,就像FRAM一��
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