代NV SRAM模塊問世�20年來,NV SRAM技�(shù)不斷更新,以保持與各種應(yīng)用同步發(fā)�,同時滿足新的封裝技�(shù)不斷增長的需求。它不但解決了先前產(chǎn)品所存在的問�,同時增加了更多功能。這類新型NV SRAM是單片BGA模塊,內(nèi)置可充電�電池,如�3所�。和PCM一樣,采用這種封裝形式的所有SRAM無論其容量大�,封裝尺寸和引腳配置都是相同�。此類模塊采用表面貼�,并且是單片器件。因此設(shè)計更加堅固可�,較上一代器件可承受更強(qiáng)的機(jī)械震�。由于電池是可充電的,因此數(shù)�(jù)保存時間的概念有了另外一層含義。用等效使用壽命一詞來描述更為恰當(dāng),這類器件等效使用壽命可高�(dá)200�! 這種模塊能承�+230℃的回流�溫度,而提供的無鉛封裝器件可承�+260℃的溫度�
SRAM為數(shù)�(jù)訪問和存儲提供了一個快速且可靠的手�。由系統(tǒng)電源或其他備用電源(如電池)供電�,他們就具有非易失�。表1給出了幾種給定的非易失性存儲器存儲技�(shù)的優(yōu)缺點�
NV SRAM中的電池對于�(shù)�(jù)保存來說至關(guān)重要。電池的不良接觸會極大地影響電池壽命。其他因�,如震動、濕度以及內(nèi)置的電池切換電路都會縮短電池的使用壽�,同時也會影響系�(tǒng)的整體可靠性。這些問題帶來的最直接的后果是:終端客戶更換電池的時間間隔更短�,例�,每年就需要更換一�,而不�5�10年一次�
NV SRAM通常用于要求維護(hù)次數(shù)盡可能少,頻繁�(jìn)行讀/寫操作,并且�(shù)�(jù)保存速度是至�(guān)重要的系�(tǒng)�。數(shù)控銑床就是一個例�。假�(shè)�(jī)器正在�(jìn)行銑操作的時候突然斷�。出于安全考慮,需要撤出鉆頭并將其停放在一個安全位置。一旦上�,機(jī)器必須記住停止工作的�。有了NV SRAM模塊,這一任務(wù)是很容易實現(xiàn)�。選擇的保持時間�(yīng)等于或大于向EEPROM中存儲程序信息所需的時間。在�(shù)�(jù)寫入EEPROM之前,仍然需要SRAM充當(dāng)�(shù)�(jù)緩存。采用這一方案,附加元件的費用通常要超出NV SRAM模塊的成本,并且可靠性較��
在防篡改�(yīng)�,特別是在PoS終端�,數(shù)�(jù)記錄非常重要。如今的智能終端無須�(jīng)過耗時的遠(yuǎn)程服�(wù)器的驗證就能確認(rèn)付款交易。由于安全數(shù)�(jù)存儲于終端內(nèi)�,因此這里完全依靠單片BGA模塊。安全微控制器可以將密鑰存放在IC�(nèi)部的“安全區(qū)”內(nèi)。然�,仍然需要采取一些額外措�,以防止存放在微控制器之外SRAM中的加密�(shù)�(jù)被讀取和解碼。目前所能提供的保護(hù)措施尚不足以對付那些狡猾的黑�。針對這一問題,也有一些解決方�,例如,Maxim/Dallas Semiconductor推出了定制的BGA模塊,包含安全微控制器、SRAM、篡改檢測電�,以及定時和控制功能�
其他需記錄�(shù)�(jù)的應(yīng)用還有機(jī)動車黑匣�,需要在�(fā)生碰撞時�(yīng)將數(shù)�(jù)迅速且可靠地存放在存儲器中。此時單片BGA以其可靠性再次成為理想之選。數(shù)�(jù)篡改同樣是個問�,但實際操作中要解決這一問題,可以將加密�(shù)�(jù)存放到NV SRAM。破解加密數(shù)�(jù)幾乎相當(dāng)于去攻擊付款交易終端,因此對于黑客來說是不值得的�
NV SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數(shù)�(jù),而且在封裝技�(shù)方面也很有競爭力這些器件適用于需要安全數(shù)�(jù)存儲以及幾乎不需要現(xiàn)場維�(hù)的場合�