方塊電阻又稱(chēng)薄層電阻,其定義為正方形�半導(dǎo)�薄層,在電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為歐姆每�。簡(jiǎn)單來(lái)�(shuō),方塊電阻(Sheet Resistance)就是指�(dǎo)電材料單位厚度單位面積上的電阻值。簡(jiǎn)�(chēng)方阻,理想情況下它等于該材料�電阻�除以厚度�
假設(shè)電流流經(jīng)一�(gè)二維方塊,定義等�(zhǎng)寬的一�(gè)橫面微元,電流流�(jīng)方向上的偏壓與電流大?。ㄝd流子N和所帶電荷大小Q的函�(shù))比值就是方塊電阻,方塊電阻�(duì)厚度積分可以得到電阻�,方塊電阻只與材�(zhì)有關(guān)。廣義上將其抽象為一�(gè)靜電�(chǎng)的半�,對(duì)電場(chǎng)半徑求得微元電阻的大小也叫方塊電��
方塊電阻有一�(gè)特�,即任意大小的正方形邊到邊的電阻都是一樣的,不管邊�(zhǎng)�1m還是0.1m,它們的方阻都是一�,這樣方阻僅與�(dǎo)電膜的厚度和電阻率有�(guān)。方塊電阻計(jì)算公式:R=ρL/S ,ρ為物質(zhì)的電阻率,單位為歐姆�(Ω. m),L為長(zhǎng)度,單位為米(m),S為截面積,單位為平方米(m2),�(zhǎng)寬相等時(shí),R=ρ/h ,h為薄膜厚�。材料的方阻越大,器件的本征電阻越大,從而損耗越��
用于離子注入�?qū)щ姳∧さ墓に嚤O(jiān)控,主要�(guān)心方塊電阻值與均勻�,離子注入方塊電阻反映劑�,導(dǎo)電薄膜方塊電阻反映厚度,方塊電阻是電路設(shè)�(jì)人員和工藝操作人員的一�(gè)接口。電路設(shè)�(jì)人員可以根據(jù)工藝�(kù)把實(shí)際的電阻值轉(zhuǎn)換成方塊電阻,而工藝操作人員可以根�(jù)方塊電阻確定�(shí)際的電阻�。對(duì)于薄�:厚度越大,電阻越小.厚度越小,電阻越大�
1、探頭法�(cè)試原理圖
下圖是電流平行經(jīng)�(guò)ITO 膜層的情�,其中:d 為膜�,I 為電�,L1 為在電流方向的膜層長(zhǎng)度,L2 為在垂直于電流方上的膜層�(zhǎng)��
�(dāng)電流流過(guò)如圖所示的方形�(dǎo)電膜層時(shí),該層的電阻�
式中,� 為導(dǎo)電膜的電阻率,對(duì)于給定的膜層,� 和d 可以看成是定�。L1=L2�(shí),即為正方形的膜�,其電阻值均為定值�/d。這就是方塊電阻的定義,即
式中,R�的單位為:歐�/�(Ω/�) ;� 的單位為歐姆(Ω);d 的單位為�(m)。由此可以看出方塊電阻的特點(diǎn):對(duì)于給定膜�,其阻值丌隨所采用正方形的大小變化,僅不薄膜材料的厚度有關(guān)�
2、影響探頭法�(cè)試方阻精度的因素�
�1� 要求探頭邊緣到材料邊緣的距離大大于探針間�,一般要�10倍以��
?�?� 要求探針頭之間的距離相等,否則就要產(chǎn)生等比例�(cè)試誤��
�3� 理論上講探針頭與�(dǎo)電薄膜接觸的�(diǎn)越小越好。但�(shí)際應(yīng)用時(shí),因針狀電極容易破壞被測(cè)試的�(dǎo)電薄膜材料,所以一般采用圓形探針頭�