開關損耗是指在電力電子開關器件(如MOSFET、IGBT)中,由于電路開關動作引起的能量損�。開關損耗是電力電子裝置效率低下的主要原�,因此如何有效減小開關損耗一直是電力電子領域研究的重��
開關損耗是指在電力電子設備�,由于器件內部導通和截止所產生的不必要的能量損失。當器件從導通狀�(tài)向截止狀�(tài)轉換�,如果不能立即消耗電流和電荷,就會出�(xiàn)存儲電荷或電流的情況。隨著器件的反向偏置加劇,這些儲存的電荷和電流會被釋放,并在芯片內部吸收能量從而造成了開關損耗�
開關損耗的主要原因有:
開關過程中的瞬間功�
開關器件內部與外界的電容和電感形成的諧振回路損�
器件在導通過程中的導通電阻損�
�、斷之間,短暫存在于管子內部的電荷積累和放電損��
為了減小開關損�,可以采用以下方法:
選用低導通電阻的開關器件
進行合理的電路布局和線性規(guī)�
控制器提供適�?shù)腜WM信號以降低MOSFET被緩慢切換使得出�(xiàn)大量的通斷時間重疊�
采用諧振技�,如全橋共振和零電壓開關等等,減少開關損耗的同時提高效率�
降低工作電壓,所產生的損耗將比原來的電流方案更小�
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