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柵漏電流
閱讀�1324�(shí)間:2023-09-27 09:55:58

柵漏電流(Gate Leakage Current)是指MOS�(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)中柵極和源極之間的漏電流。在�(shí)際使用中,由于工藝制造和�(shè)備的參數(shù)不可避免地存在一些偏�,從而導(dǎo)致柵漏電流的�(chǎn)��

概述

柵漏電流是由于MOSFET的柵�(jié)�(gòu)和附近區(qū)域存在濃度不�、缺陷等因素引起的電子隧穿或者熱�(fā)射等�(xiàn)象所形成的泄漏電�。其大小與柵電壓、晶體管制造工藝以及溫度等諸多因素有關(guān)�

�(jì)算公�

柵漏電流是非常微弱的電流,一般情況下采用以下�(jì)算公式�(jìn)行估算:

<p center;"="" style='"text-align:'>$I_G=I_{G0}left(frac{T}{T_0}right)^nmathrm{exp}left[frac{-E_G}{k_B(T-T_0)}right]$

其中�$I_G$為柵漏電流,$I_{G0}$為溫度為$T_0$�(shí)的柵漏電��$T$為當(dāng)前溫��$n$為取決于MOSFET工藝和溫度的常數(shù)�$E_G$為帶隙能在絕�(duì)溫度下的��$k_B$為玻爾茲曼常�(shù)�

受什么影�

柵漏電流大小主要受以下因素影響:

  • 柵電壓:柵電壓越�,隧穿概率越�,柵漏電流也�(huì)相應(yīng)增加�

  • 溫度:溫度越�,電子具有更多的熱能,更容易通過(guò)�(shì)壘層,同�(shí)缺陷�(tài)密度也會(huì)增加,導(dǎo)致柵漏電流上��

  • 晶體管制造工藝:制造工藝差異會(huì)�(dǎo)致晶體管中缺陷原子等存在濃度不同,從而導(dǎo)致柵漏電流的大小不同�

維庫(kù)電子通,電子知識(shí),一查百��

已收錄詞�161990�(gè)