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巨磁電阻效應(yīng)
閱讀�1161時間�2023-09-26 14:32:02

巨磁電阻效應(yīng)(giant magnetoresistance,簡�GMR)是一種在特定材料中觀察到的物理現(xiàn)�。該效應(yīng)最早于1988年被法國科學(xué)家Albert Fert和德國科�(xué)家Peter Grünberg同時獨立地發(fā)�(xiàn),并因此獲得�2007年諾貝爾物理�(xué)��

介紹

巨磁電阻效應(yīng)是指�(dāng)處于外部磁場作用下的磁性多層膜�(jié)�(gòu)中的電阻率變化較大的�(xiàn)��

如何�(fā)�(xiàn)

1988�,F(xiàn)ert和Grünberg通過對由�、鉻和鉑等幾種金屬交替堆積而成的多層薄膜進行實驗,首次觀測到了巨磁電阻效�(yīng)�

�(yīng)�

巨磁電阻效應(yīng)的應(yīng)用涉及到磁存儲、傳感器和讀頭等方面。在磁存儲技�(shù)�,巨磁電阻現(xiàn)象已被廣泛應(yīng)用于固態(tài)硬盤、磁帶頭�(shè)備和磁性隨機存取存儲器等領(lǐng)�,以提高其讀取和寫入�(shù)�(jù)的速度。在傳感技�(shù)中,巨磁電阻效應(yīng)可以被用來檢測磁場變�,進而檢測物體位�。此�,巨磁電阻效�(yīng)還可以被用于�(yī)療診斷和生命科學(xué)等領(lǐng)域�

維庫電子�,電子知�,一查百��

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