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瓷介電容
閱讀�8049時間�2010-12-15 10:43:34

  瓷介電容是一種主體為標準獨石�(jié)�(gòu)�電容�,在高頻和低頻電路中都可適用。引出端用可焊接的金屬或合金制成,高頻與非高頻瓷介電容有明顯的標志區(qū)別�

分類

  瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率,在低壓低功率中又可分為I型(CC型)和II型(CT型)�

  I型(CC型)特點是體積小,損耗低,電容對頻率,溫度穩(wěn)定性都較高,常用于高頻電路�

  II型(CT型)特點是體積小,損耗大,電容對溫度頻率,穩(wěn)定性都較差,常用于低頻電路�

制造工�

  �(jù)《GJB192A瓷介電容器總�(guī)范》規(guī)定,瓷介電容技�(shù)的工序應該包括但不限于下列工�

  a 原材料的配料與混�

  b 介質(zhì)片的制�

  c 疊片和印制電�

  d 層壓和切�

  e 芯片燒結(jié)

  f 端電極涂�

  g 包裝

參數(shù)舉例

  CT1型圓形瓷片低頻電�

  �(huán)境溫度:-25�85C 相對濕度�+40C時達96%工作電壓50V電容范圍和允差:101�472 �+-10%�472-403�+80-- -20%�

  CC01圓形瓷片電容�

  �(huán)境溫度:-25�85C 相對濕度�+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg

  允許偏差�5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M�

  溫度系數(shù)�1�4P +120(+-60)PPM  4�56P �47(+-60)PPM

  56�180P �750(+-250)PPM

  180�390P �1300(+-250)PPM

  430�820P �3300(+-500)PPM

  CT01圓形瓷片電容�

  �(huán)境溫度:-25�85C 相對濕度�+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg損耗�0.05絕緣電阻�1000mohm

  允差�+80 -20%容量�1000-47000p

  工作電壓�63v 試驗電壓�200v

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