瓷介電容是一種主體為標準獨石�(jié)�(gòu)�電容�,在高頻和低頻電路中都可適用。引出端用可焊接的金屬或合金制成,高頻與非高頻瓷介電容有明顯的標志區(qū)別�
瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率,在低壓低功率中又可分為I型(CC型)和II型(CT型)�
I型(CC型)特點是體積小,損耗低,電容對頻率,溫度穩(wěn)定性都較高,常用于高頻電路�
II型(CT型)特點是體積小,損耗大,電容對溫度頻率,穩(wěn)定性都較差,常用于低頻電路�
�(jù)《GJB192A瓷介電容器總�(guī)范》規(guī)定,瓷介電容技�(shù)的工序應該包括但不限于下列工�
a 原材料的配料與混�
b 介質(zhì)片的制�
c 疊片和印制電�
d 層壓和切�
e 芯片燒結(jié)
f 端電極涂�
g 包裝
CT1型圓形瓷片低頻電�
�(huán)境溫度:-25�85C 相對濕度�+40C時達96%工作電壓50V電容范圍和允差:101�472 �+-10%�472-403�+80-- -20%�
CC01圓形瓷片電容�
�(huán)境溫度:-25�85C 相對濕度�+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg
允許偏差�5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M�
溫度系數(shù)�1�4P +120(+-60)PPM 4�56P �47(+-60)PPM
56�180P �750(+-250)PPM
180�390P �1300(+-250)PPM
430�820P �3300(+-500)PPM
CT01圓形瓷片電容�
�(huán)境溫度:-25�85C 相對濕度�+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg損耗�0.05絕緣電阻�1000mohm
允差�+80 -20%容量�1000-47000p
工作電壓�63v 試驗電壓�200v