閘流管出�(xiàn)�20世紀(jì)20年代�。早期的閘流管為靜電控制閘流管,管內(nèi)充有惰性氣體或汞蒸�。在第二次世界大�(zhàn)中,隨著雷達(dá)的發(fā)展又研制�氫閘流管�
閘流管是在陰極-陽極之間有一個或多個柵�、具有控制特性的熱陰極充氣管�
柵極加上正向電壓�,陰極發(fā)射出的電子便在電場的作用下向柵極�(yùn)�。在�(yùn)動過程中,電子不斷與氣體分子相碰�,使部分氣體分子電�,形成新的電子和離�。新的電子也向柵極運(yùn)動,又會出現(xiàn)新的電離� 而離子向陰極�(yùn)動在適當(dāng)?shù)臈l件下就能在極短的時間�(nèi)�(fā)生“雪崩式”過程,在陰極-柵極間形成等離子區(qū)(見氣體放�)。這時,如陽極具有足夠高的正向電壓,那�,在陽極電場的作用下,等離子區(qū)里的部分電子將得到加�,在陽極-柵極空間使氣體分子電�。極-柵極間的等離子區(qū)迅速擴(kuò)展到陽極-柵極空間。這時,整個閘流管�(dǎo)�,柵極失去控制能�。只有在陽極電壓降得很低,不足以維持放電電流�,放電才會熄�。管子在放電熄滅以后還要�(jīng)過一段消電離時間,待放電空間等離子區(qū)消失�,柵極才能恢復(fù)原來的控制功�,準(zhǔn)備下一次工��
靜電控制閘流管的柵極加負(fù)偏壓,信號電壓加上后,陰極發(fā)射的部分電子穿過柵極�(jìn)入陽極-柵極空間,在陽極電場的作用下�(chǎn)生“雪崩式”放�,使閘流管導(dǎo)��
1、要有一定的�(yù)熱時��
2、閘流管燈絲電壓要求�(wěn)��
3、氫氣要保證�
4、保證閘流管柵極電壓的脈�、幅度等參數(shù)符合要求�
5、閘流管需保持良好的通風(fēng)散熱狀�(tài)�
6、隨時監(jiān)測閘流管工作時產(chǎn)生的聲音和弧��
閘流管在工作一段時間以后,由于靜電吸附作用,將有一些灰塵粘在管外壁�,對玻璃管而言,可以用紗布蘸純度高的酒精液擦拭;對陶瓷管而言,需用干的絲綢布來擦�,不要用酒精。千萬不能用��
閘流管一般作為調(diào)制器的開�(guān)元件。在核聚�、加速器、激�、等離子體研究、航�、醫(yī)�(xué)等方面都有廣泛的�(yīng)��
�(guī)� 1 為了�(dǎo)通閘流管(或雙向可控硅),必須有門極電流≧IGT ,直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL 。這條件必須滿�,并按可能遇到的溫度考慮�
�(guī)� 2.要斷開(切換)閘流管(或雙向可控硅),負(fù)載電流必�<IH, 并維持足夠長的時�,使能回�(fù)至截�?fàn)顟B(tài)。在可能的運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件�
�(guī)� 3.�(shè)�(jì)雙向可控硅觸�(fā)電路�,只要有可能,就要避�3+象限(WT2-,G+)�
�(guī)� 4.為減少雜波吸�,門極連線長度降至。返回線直接連至 MT1(或陰極�。若用硬�,用螺旋雙線或屏蔽線。門極和 MT1 間加電阻 1kΩ或更�。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法,選� H 系列低靈敏度雙向可控硅�
�(guī)� 5.� dVD/dt� dVCOM/dt可能引起問題,在 MT1 和MT2 間加� RC 緩沖電路。若� dICOM/dt可能引起問題,加入一� mH的電感和�(fù)載串�(lián)。另一種解決辦�,采用Hi-Com雙向可控��
�(guī)� 6.假如雙向可控硅的 VDRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超�,采用下列措施之一:負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH 的不飽和電感,以限制dIT/dt;用 MOV 跨接于電源,并在電源�(cè)增加濾波電路�
�(guī)� 7.選用好的門極觸�(fā)電路,避� 3+象限工況,可以限度提高雙向可控硅� dIT/dt 承受能力�
�(guī)� 8.若雙向可控硅� dIT/dt 有可能被超出,負(fù)載上串聯(lián)一個幾μH 的無鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法:對電阻性負(fù)載采用零電壓�(dǎo)��
�(guī)� 9.器件固定到散熱器�,避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固�,然后焊接引�。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一�(cè)�
�(guī)� 10.為了長期可靠工作,應(yīng)保證 Rth j-a 足夠�,維� Tj 不高� Tjmax ,其值相�(yīng)于可能的�(huán)境溫��
維庫電子通,電子知識,一查百��
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